是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | BGA-112 | Reach Compliance Code: | compliant |
HTS代码: | 8542.31.00.01 | 风险等级: | 1.69 |
具有ADC: | YES | 地址总线宽度: | 16 |
位大小: | 32 | 最大时钟频率: | 48 MHz |
DAC 通道: | YES | DMA 通道: | YES |
外部数据总线宽度: | 16 | JESD-30 代码: | S-PBGA-B112 |
长度: | 10 mm | I/O 线路数量: | 86 |
端子数量: | 112 | 片上程序ROM宽度: | 8 |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
PWM 通道: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LFBGA | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH | ROM可编程性: | FLASH |
座面最大高度: | 1.3 mm | 速度: | 48 MHz |
最大供电电压: | 3.8 V | 最小供电电压: | 1.98 V |
标称供电电压: | 3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 宽度: | 10 mm |
uPs/uCs/外围集成电路类型: | MICROCONTROLLER, RISC | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
EFM32GG990F1024-BGA112 | SILICON |
功能相似 |
Configurable peripheral I/O locations |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
EFM32GG990F1204-BGA112 | QIMONDA |
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EFM32GG990 DATASHEET | |
EFM32GG990F512-BGA112 | SILICON |
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Configurable peripheral I/O locations | |
EFM32GG990F512-BGA112 | QIMONDA |
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EFM32GG990 DATASHEET | |
EFM32GG995 | ETC |
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EFM32GG995 DATASHEET | |
EFM32GG995F1024-BGA120 | SILICON |
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EFM32GG995F1024-BGA120 是基于 ARM Cortex-M3 的微控制 | |
EFM32GG995F1204-BGA120 | ETC |
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EFM32GG995 DATASHEET | |
EFM32GG995F512-BGA120 | SILICON |
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EFM32GG995F512-BGA120 是基于 ARM Cortex-M3 的微控制器 | |
EFM32HG108 | SILICON |
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Output state retention and wake-up from Shutoff Mode | |
EFM32HG108F32G-A-QFN24 | SILICON |
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Output state retention and wake-up from Shutoff Mode | |
EFM32HG108F32G-QFN24 | SILICON |
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EFM32HG108F32G-QFN24 是基于 ARM Cortex-M0+ 的支持 U |