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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> EFM104F-W
EFM104F-W PDF预览

EFM104F-W

更新时间： 2024-11-18 13:07:35
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 30K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, SMAF, 2 PIN

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EFM104F-W 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：SMAF, 2 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.65
Is Samacsys：N配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-F2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向恢复时间：0.035 µs表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

EFM104F-W 数据手册

 浏览型号EFM104F-W的Datasheet PDF文件第2页 
EFM101  
THRU  
RECTRON  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL SPECIFICATION  
EFM106  
SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED  
SUPER FAST SILICON RECTIFIER  
VOLTAGE RANGE 50 to 400 Volts CURRENT 1.0 Ampere  
FEATURES  
* Glass passivated device  
* Ideal for surface mounted applications  
* Low leakage current  
* Metallurgically bonded construction  
* Mounting position: Any  
* Weight: 0.057 gram  
DO-214AC  
MECHANICAL DATA  
* Epoxy : Device has UL flammability classification 94V-0  
(
)
0.067 1.70  
(
)
)
0.110 2.79  
(
)
0.051 1.29  
(
0.086 2.18  
(
)
0.180 4.57  
(
)
0.160 4.06  
(
)
0.012 0.305  
(
)
0.006 0.152  
(
)
0.091 2.31  
(
)
)
0.067 1.70  
(
0.059 1.50  
(
)
)
0.008 0.203  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
(
)
0.035 0.89  
(
0.004 0.102  
(
)
)
0.209 5.31  
(
0.185 4.70  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS (At T  
A
= 25oC unless otherwise noted)  
RATINGS  
SYMBOL  
EFM101 EFM102 EFM103 EFM104 EFM105 EFM106  
UNITS  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Volts  
V
V
RRM  
RMS  
50  
35  
50  
100  
70  
150  
105  
150  
200  
140  
200  
300  
210  
300  
400  
280  
400  
Volts  
Volts  
Volts  
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward Current  
V
DC  
O
100  
I
1.0  
30  
Amps  
Amps  
at TA  
= 55oC  
Peak Forward Surge Current IFM (surge): 8.3 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load (JEDEC method)  
I
FSM  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
C
J
15  
10  
pF  
0 C  
Operating and Storage Temperature Range  
T
J
, TSTG  
-65 to + 175  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (At T  
CHARACTERISTICS  
Maximum Forward Voltage at 1.0A DC  
A
= 25oC unless otherwise noted)  
SYMBOL  
EFM101 EFM102 EFM103 EFM104 EFM105 EFM106  
0.95 1.25  
UNITS  
Volts  
V
F
Maximum DC Reverse Current  
@T  
@T  
A
A
= 25oC  
=150oC  
5.0  
50  
35  
I
R
uAmps  
at Rated DC Blocking Voltage  
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)  
trr  
nSec  
NOTES : 1. Test Conditions: I  
F
=0.5A, I  
R=-1.0A, IRR=-0.25A.  
2001-4  
2. Measured at 1 MH  
Z
and applied reverse voltage of 4.0 volts.  
12

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