EFD18E

更新时间： 2024-01-12 01:22:50

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5页	1075K
描述
Power Modules

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EFD18E 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最大直流栅极触发电流：	100 mA	最大直流栅极触发电压：	2.5 V
快速连接描述：	6G	螺丝端子的描述：	6AK
最大漏电流：	10 mA	通态非重复峰值电流：	400 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
重复峰值反向电压：	100 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
Base Number Matches：	1

EFD18E 数据手册

EF Series

•

High Thermal Efficiency

Complete Power Control

Circuits In a Single Package

AVAILABLE OPTIONS

ELECTRICAL SPECIFICATIONS

Description

Symbol

50 A

75 A

100 A

125 A

Maximum DC Output Current (Tc = 85°C) (Single Phase Rating)

I_D

Maximum Voltage Drop @ Amps Peak

1.7V @ 50A

-40 - 125°C

100A/µs

1.85V @ 75A

-40 - 125°C

100A/µs

1.4V @ 100A

-40 - 125°C

100A/µs

1.55V @ 125A

-40 - 125°C

100A/µs

V_F

Operating Junction Temperature Range

T_J

Critical Rate of Rise of On-State Current @ TJ=125°C

Critical Rate of Rise of Off-State Voltage [V/µs]

di/dt

dv/dt

500V/µs

400 (120 VAC)

600 (240 VAC)

800 (280 VAC)

Repetitive Peak Reverse Voltage (AC Line Nominal) [Vpk]

V_RRM

1200 (480 VAC)

1400 (530 VAC)

600

Maximum Non-Repetitive Surge Current (1/2 Cycle, 60 Hz) [A]

Maximum I²T for Fusing (t=8.3ms) [A²sec]

400

670

1500

9340

150

1950

15800

150

I_TSM

I²T

1500

Minimum Required Gate Current to Trigger @ 25°C [mA]

Minimum Required Gate Voltage to Trigger @ 25°C [V]

Average Gate Power [W]

I_GT

2.5

3.0

V_GT

0.5

P_G(AV)

V_GM

R_JC

Maximum Peak Reverse Gate Voltage [V]

5.0

Maximum Thermal Resistance, Junction to Ceramic Base per Chip

Isolation Voltage [Vrms]

0.8°C/W

2500

0.7°C/W

2500

0.36°C/W

2500

0.3°C/W

2500

V_ISOL

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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