Datasheet > 传感器/换能器 > 线性位置传感器> EE-SX1128

EE-SX1128

更新时间： 2024-02-03 08:15:24

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欧姆龙 - OMRON		光电传感器换能器线性位置传感器
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描述
Photomicrosensor (Transmissive)

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EE-SX1128 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
Factory Lead Time：	28 weeks 3 days	风险等级：	5.81
Is Samacsys：	N	主体宽度：	5.2 mm
主体高度：	9.3 mm	主体长度或直径：	13.5 mm
最大测量范围（毫米）：		最小测量范围（毫米）：
安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT	最大工作电流：	30 mA
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
输出范围：	0.50-10mA	输出类型：	ANALOG CURRENT
封装形状/形式：	RECTANGULAR	传感器/换能器类型：	LINEAR POSITION SENSOR,PHOTOELECTRIC,RETROREFLECTIVE
最大供电电压：	1.5 V	最小供电电压：	1.2 V
表面贴装：	NO	端接类型：	SOLDER
Base Number Matches：	1

EE-SX1128 数据手册

Photomicrosensor (Transmissive)

EE-SX1128

I Dimensions

Note: All units are in millimeters unless otherwise indicated.

I Features

• General-purpose model with a 4.2-mm-wide slot.

• PCB mounting type.

• High resolution with a 0.5-mm-wide aperture.

• Horizontal sensing aperture.

• RoHS Compliant.

I Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Rated value

50 mA (see note 1)

1 A (see note 2)

Emitter

Forward current

I_F

Pulse forward

current

I_FP

Reverse voltage

V_R

4 V

Detector

Collector–Emitter

voltage

V_CEO

30 V

Emitter–Collector

voltage

V_ECO

---

Collector current

I_C

20 mA

Collector

P_C

100 mW (see note 1)

dissipation

Internal Circuit

Ambient

temperature

Operating

Storage

Topr

Tstg

Tsol

–25°C to 85°C

–30°C to 100°C

260°C (see note 3)

Unless otherwise specified, the

tolerances are as shown below.

Soldering temperature

Dimensions

0 < × ≤ 4

4 < × ≤ 18

Tolerance

Note: 1. Refer to the temperature rating chart if the ambient

temperature exceeds 25°C.

0.100

Terminal No.

Name

Anode

2. The pulse width is 10 µs maximum with a frequency of 100 Hz.

3. Complete soldering within 10 seconds.

0.200

Cathode

Collector

Emitter

I Ordering Information

Description

Model

EE-SX1128

Photomicrosensor (transmissive)

I Electrical and Optical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Value

1.2 V typ., 1.5 V max.

0.01 µA typ., 10 µA max.

940 nm typ.

Condition

Emitter

Forward voltage

Reverse current

Peak emission wavelength

Light current

V_F

I_R

I_F= 30 mA

V_R= 4 V

λ_P

I_L

I_F= 20 mA

Detector

0.5 mA min., 10 mA max.

2 nA typ., 200 nA max.

---

I_F= 20 mA, V_CE= 10 V

V_CE= 10 V, 0 lx

---

Dark current

I_D

Leakage current

I_LEAK

Collector–Emitter saturated

voltage

V_CE(sat)

0.1 V typ., 0.4 V max.

I_F= 20 mA, I_L= 0.1 mA

Peak spectral sensitivity

wavelength

λ_P

850 nm typ.

V_CE= 10 V

Rising time

Falling time

4 µs typ.

_CC= 5 V, R_L= 100 Ω, I_L= 5 mA

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Photomicrosensor (Transmissive) EE-SX1128

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