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EE-SX1082

更新时间： 2024-01-17 12:34:17
品牌 Logo 应用领域
欧姆龙 - OMRON 光电
页数 文件大小 规格书
4页 234K
描述
Photomicrosensor (Transmissive)

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EE-SX1082 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.8主体宽度：6.5 mm
主体高度：5.2 mm主体长度或直径：10 mm
最大测量范围（毫米）：0.2 mm安装特点：THROUGH HOLE MOUNT
最大工作电流：50 mA最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C输出范围：0.12mA
输出类型：ANALOG CURRENT封装形状/形式：RECTANGULAR
响应时间：100 µs传感器/换能器类型：LINEAR POSITION SENSOR,PHOTOELECTRIC,RETROREFLECTIVE
最大供电电压：1.5 V最小供电电压：1.2 V
表面贴装：NO端接类型：SOLDER
Base Number Matches：1

EE-SX1082 数据手册

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Photomicrosensor (Transmissive)  
EE-SX1082  
I Dimensions  
Note: All units are in millimeters unless otherwise indicated.  
I Features  
• Horizontal sensing aperture.  
• PCB mounting type.  
• High resolution with a 0.2-mm-wide aperture.  
• RoHS Compliant.  
E
C
I Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Item  
Symbol  
Rated value  
50 mA (see note 1)  
1 A (see note 2)  
Emitter  
Forward current  
IF  
Pulse forward  
current  
IFP  
Reverse voltage  
VR  
4 V  
Detector  
Collector–Emitter  
voltage  
VCEO  
30 V  
Emitter–Collector  
voltage  
VECO  
---  
Collector current  
IC  
20 mA  
Collector dissipation PC  
100 mW (see note 1)  
–40°C to 85°C  
–40°C to 100°C  
260°C (see note 3)  
Internal Circuit  
Ambient  
temperature  
Operating  
Storage  
Topr  
K
A
C
E
Tstg  
Tsol  
Soldering temperature  
Unless otherwise specified, the  
tolerances are 0.2 mm.  
Note: 1. Refer to the temperature rating chart if the ambient temper-  
ature exceeds 25°C.  
Terminal No.  
Name  
2. The pulse width is 10 µs maximum with a frequency of 100 Hz.  
3. Complete soldering within 10 seconds.  
A
K
C
E
Anode  
Cathode  
Collector  
Emitter  
I Ordering Information  
Description  
Model  
EE-SX1082  
Photomicrosensor (transmissive)  
I Electrical and Optical Characteristics (Ta = 25°C)  
Item  
Symbol  
Value  
1.2 V typ., 1.5 V max.  
0.01 µA typ., 10 µA max.  
920 nm typ.  
Condition  
Emitter  
Forward voltage  
Reverse current  
Peak emission wavelength  
Light current  
VF  
IR  
IF = 30 mA  
VR = 4 V  
λP  
IL  
IF = 20 mA  
Detector  
0.12 mA min.  
IF = 20 mA, VCE = 5 V  
VCE = 10 V, 0 lx  
---  
Dark current  
ID  
2 nA typ., 200 nA max.  
---  
Leakage current  
ILEAK  
Collector–Emitter saturated  
voltage  
VCE (sat)  
0.08 V typ., 0.4 V max.  
IF = 20 mA, IL = 0.05 mA  
Peak spectral sensitivity  
wavelength  
λP  
850 nm typ.  
VCE = 10 V  
Rising time  
Falling time  
tr  
tf  
100 µs typ.  
V
CC = 5 V, RL = 50 kΩ, IL = 0.1 mA  
CC = 5 V, RL = 50 kΩ, IL = 0.1 mA  
1,000 µs typ.  
V
180  
Photomicrosensor (Transmissive) EE-SX1082  
1234

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