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EDS6416CHTA-6B-E PDF预览

EDS6416CHTA-6B-E

更新时间： 2024-01-22 16:55:57
品牌 Logo 应用领域
尔必达 - ELPIDA 时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
50页 583K
描述
Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-54

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EDS6416CHTA-6B-E 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2, TSOP54,.46,32针数：54
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02风险等级：5.83
Is Samacsys：N访问模式：FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：5.4 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：167 MHzI/O 类型：COMMON
交错的突发长度：1,2,4,8JESD-30 代码：R-PDSO-G54
JESD-609代码：e6长度：22.22 mm
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：16功能数量：1
端口数量：1端子数量：54
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：4MX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP54,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：2.5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：4096
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：YES
连续突发长度：1,2,4,8,FP最大待机电流：0.002 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.26 mA
最大供电电压 (Vsup)：2.7 V最小供电电压 (Vsup)：2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：50宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

EDS6416CHTA-6B-E 数据手册

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DATA SHEET  
64M bits SDRAM  
EDS6416AHTA, EDS6416CHTA  
(4M words × 16 bits)  
Pin Configurations  
Description  
The EDS6416AHTA, EDS6416CHTA are 64M bits  
SDRAMs organized as 1,048,576 words × 16 bits × 4  
banks. All inputs and outputs are synchronized with  
the positive edge of the clock.  
Supply voltages are 3.3V (EDS6416AHTA) and 2.5V  
(EDS6416CHTA).  
/xxx indicate active low signal.  
54-pin Plastic TSOP (II)  
1
2
3
4
5
6
7
8
54  
53  
52  
51  
50  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
VDD  
DQ0  
VDDQ  
DQ1  
DQ2  
VSSQ  
DQ3  
DQ4  
VDDQ  
DQ5  
DQ6  
VSSQ  
DQ7  
VDD  
LDQM  
/WE  
/CAS  
/RAS  
/CS  
BA0  
BA1  
A10  
A0  
A1  
A2  
A3  
VDD  
VSS  
DQ15  
VSSQ  
DQ14  
DQ13  
VDDQ  
DQ12  
DQ11  
VSSQ  
DQ10  
DQ9  
VDDQ  
DQ8  
VSS  
NC  
UDQM  
CLK  
CKE  
NC  
A11  
A9  
It is packaged in 54-pin plastic TSOP (II).  
Features  
• 3.3V and 2.5V power supply  
• Clock frequency: 166MHz/133MHz (max.)  
• Single pulsed /RAS  
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
• ×16 organization  
• 4 banks can operate simultaneously and  
independently  
• Burst read/write operation and burst read/single  
write operation capability  
• 2 variations of burst sequence  
Sequential (BL = 1, 2, 4, 8, full page)  
Interleave (BL = 1, 2, 4, 8)  
• Programmable /CAS latency (CL): 2, 3  
• Programmable driver strength: Half , Quarter  
• Byte control by UDQM and LDQM  
• Refresh cycles: 4096 refresh cycles/64ms  
• 2 variations of refresh  
A8  
A7  
A6  
A5  
A4  
VSS  
(Top view)  
Auto refresh  
Self refresh  
• TSOP (II) package with lead free solder (Sn-Bi)  
A0 to A11  
Address input  
BA0, BA1  
DQ0 to DQ15  
/CS  
Bank select address  
Data-input/output  
Chip select  
/RAS  
/CAS  
/WE  
Row address strobe  
Column address strobe  
Write enable  
LDQM, UDQM  
CKE  
Input/output mask  
Clock enable  
CLK  
Clock input  
VDD  
VSS  
VDDQ  
VSSQ  
NC  
Power for internal circuit  
Ground for internal circuit  
Power for DQ circuit  
Ground for DQ circuit  
No connection  
Document No. E0439E20 (Ver. 2.0)  
Date Published February 2004 (K) Japan  
URL: http://www.elpida.com  
Elpida Memory, Inc. 2003-2004  
1234567...50

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与EDS6416CHTA-6B-E相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
EDS6416CHTA-6BL-E ELPIDA Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-54

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