5秒后页面跳转
EDS6416AHTA-6BL-E PDF预览

EDS6416AHTA-6BL-E

更新时间: 2024-01-12 01:24:09
品牌 Logo 应用领域
尔必达 - ELPIDA 时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
49页 728K
描述
Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-54

EDS6416AHTA-6BL-E 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSOP, TSOP54,.46,32Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.74Is Samacsys:N
最长访问时间:5.4 ns最大时钟频率 (fCLK):167 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:1,2,4,8
JESD-30 代码:R-PDSO-G54内存密度:67108864 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:16
端子数量:54字数:4194304 words
字数代码:4000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP封装等效代码:TSOP54,.46,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096连续突发长度:1,2,4,8,FP
最大待机电流:0.002 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.26 mA标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

EDS6416AHTA-6BL-E 数据手册

 浏览型号EDS6416AHTA-6BL-E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号EDS6416AHTA-6BL-E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EDS6416AHTA-6BL-E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EDS6416AHTA-6BL-E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EDS6416AHTA-6BL-E的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EDS6416AHTA-6BL-E的Datasheet PDF文件第7页 
DATA SHEET  
64M bits SDRAM  
EDS6416AHTA, EDS6416CHTA  
(4M words × 16 bits)  
Pin Configurations  
Description  
The EDS6416AHTA, EDS6416CHTA are 64M bits  
SDRAMs organized as 1,048,576 words × 16 bits × 4  
banks. All inputs and outputs are synchronized with  
the positive edge of the clock.  
Supply voltages are 3.3V (EDS6416AHTA) and 2.5V  
(EDS6416CHTA).  
/xxx indicate active low signal.  
54-pin Plastic TSOP (II)  
1
54  
53  
52  
51  
50  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
VDD  
DQ0  
VDDQ  
DQ1  
DQ2  
VSSQ  
DQ3  
DQ4  
VDDQ  
DQ5  
DQ6  
VSSQ  
DQ7  
VDD  
LDQM  
/WE  
/CAS  
/RAS  
/CS  
VSS  
DQ15  
VSSQ  
DQ14  
DQ13  
VDDQ  
DQ12  
DQ11  
VSSQ  
DQ10  
DQ9  
VDDQ  
DQ8  
VSS  
NC  
UDQM  
CLK  
CKE  
NC  
A11  
A9  
2
3
4
5
6
7
8
9
It is packaged in 54-pin plastic TSOP (II).  
Features  
3.3V and 2.5V power supply  
Clock frequency: 166MHz/133MHz (max.)  
Single pulsed /RAS  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
• ×16 organization  
4 banks can operate simultaneously and  
independently  
Burst read/write operation and burst read/single  
write operation capability  
2 variations of burst sequence  
Sequential (BL = 1, 2, 4, 8, full page)  
Interleave (BL = 1, 2, 4, 8)  
Programmable /CAS latency (CL): 2, 3  
Byte control by UDQM and LDQM  
Refresh cycles: 4096 refresh cycles/64ms  
2 variations of refresh  
BA0  
BA1  
A10  
A0  
A1  
A2  
A3  
VDD  
A8  
A7  
A6  
A5  
A4  
VSS  
Auto refresh  
Self refresh  
(Top view)  
TSOP (II) package with lead free solder (Sn-Bi)  
A0 to A11  
Address input  
BA0, BA1  
DQ0 to DQ15  
/CS  
Bank select address  
Data-input/output  
Chip select  
/RAS  
/CAS  
/WE  
Row address strobe  
Column address strobe  
Write enable  
LDQM, UDQM  
CKE  
Input/output mask  
Clock enable  
CLK  
Clock input  
VDD  
VSS  
VDDQ  
VSSQ  
NC  
Power for internal circuit  
Ground for internal circuit  
Power for DQ circuit  
Ground for DQ circuit  
No connection  
Document No. E0439E50 (Ver.5.0)  
Date Published July 2004 (K) Japan  
URL: http://www.elpida.com  
Elpida Memory, Inc. 2003-2004  

与EDS6416AHTA-6BL-E相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
EDS6416AHTA-75-E ELPIDA 64M bits SDRAM (4M words x 16 bits)

获取价格

EDS6416AHTA-75L-E ELPIDA Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-54

获取价格

EDS6416AHTA-75TI-E ELPIDA 64M bits SDRAM WTR (Wide Temperature Range)

获取价格

EDS6416AHTA-75TT-E ELPIDA 64M bits SDRAM WTR (Wide Temperature Range)

获取价格

EDS6416AHTA-TI ELPIDA 64M bits SDRAM WTR (Wide Temperature Range)

获取价格

EDS6416AHTA-TT ELPIDA 64M bits SDRAM WTR (Wide Temperature Range)

获取价格