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EDS2532AABB-60-E

更新时间: 2025-10-10 21:22:27
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尔必达 - ELPIDA 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
48页 558K
描述
Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90

EDS2532AABB-60-E 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:BGA
包装说明:TFBGA,针数:90
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.24风险等级:5.49
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:5.4 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-PBGA-B90
JESD-609代码:e1长度:13 mm
内存密度:268435456 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:32功能数量:1
端口数量:1端子数量:90
字数:8388608 words字数代码:8000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:8MX32
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TFBGA
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.14 mm自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:50宽度:8 mm
Base Number Matches:1

EDS2532AABB-60-E 数据手册

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PRELIMINARY DATA SHEET  
256M bits SDRAM  
EDS2532AABB (8M words × 32 bits)  
Description  
Pin Configurations  
The EDS2532AA is a 256M bits SDRAM organized as  
2,097,152 words × 32 bits × 4 banks. All inputs and  
outputs are synchronized with the positive edge of the  
clock.  
/xxx indicate active low signal.  
90-ball FBGA  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
A
B
C
D
E
F
It is packaged in 90-ball FBGA.  
DQ26 DQ24 VSS  
DQ28 VDDQ VSSQ  
VSSQ DQ27 DQ25  
VSSQ DQ29 DQ30  
VDDQ DQ31 NC  
VSS DQM3 A3  
VDD DQ23 DQ21  
VDDQ VSSQ DQ19  
DQ22 DQ20 VDDQ  
DQ17 DQ18 VDDQ  
NC DQ16 VSSQ  
A2 DQM2 VDD  
Features  
3.3V power supply  
Clock frequency: 166MHz/133MHz (max.)  
Single pulsed /RAS  
• ×32 organization  
4 banks can operate simultaneously and  
independently  
Burst read/write operation and burst read/single write  
G
H
J
operation capability  
A4  
A7  
A5  
A8  
A6  
NC  
A9  
A10  
NC  
A0  
A1  
Programmable burst length (BL): 1, 2, 4, 8 and full  
BA1 A11  
page  
2 variations of burst sequence  
Sequential (BL = 1, 2, 4, 8, full page)  
Interleave (BL = 1, 2, 4, 8)  
Programmable /CAS latency (CL): 2, 3  
Byte control by DQM  
Refresh cycles: 4096 refresh cycles/64ms  
2 variations of refresh  
Auto refresh  
Self refresh  
FBGA package is lead free solder (Sn-Ag-Cu)  
CLK CKE  
DQM1 NC  
BA0 /CS /RAS  
/CAS /WE DQM0  
VDD DQ7 VSSQ  
DQ6 DQ5 VDDQ  
DQ1 DQ3 VDDQ  
VDDQ VSSQ DQ4  
VDD DQ0 DQ2  
K
L
NC  
VDDQ DQ8 VSS  
VSSQ DQ10 DQ9  
VSSQ DQ12 DQ14  
DQ11 VDDQ VSSQ  
DQ13 DQ15 VSS  
M
N
P
R
(Top view)  
A0 to A11  
BA0, BA1  
DQ0 to DQ31  
/CS  
Address inputs  
Bank select address  
Data-input/output  
Chip select  
/RAS  
/CAS  
/WE  
Row address strobe  
Column address strobe  
Write enable  
DQM0 to DQM3  
CKE  
DQ mask enable  
Clock enable  
CLK  
Clock input  
VDD  
VSS  
VDDQ  
VSSQ  
NC  
Power for internal circuit  
Ground for internal circuit  
Power for DQ circuit  
Ground for DQ circuit  
No connection  
Document No. E0326E40 (Ver. 4.0)  
Date Published April 2003 (K) Japan  
URL: http://www.elpida.com  
Elpida Memory, Inc. 2002-2003  

与EDS2532AABB-60-E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
EDS2532AABB-60L-E ELPIDA

获取价格

Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90
EDS2532AABB-75-E ELPIDA

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Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90
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Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90
EDS2532AABH-1AR2 ELPIDA

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256M bits SDRAM
EDS2532AABH-1AR2-E ELPIDA

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256M bits SDRAM
EDS2532AABH-60-E ELPIDA

获取价格

Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, LEAD FREE, FBGA-90
EDS2532AABH-6B ELPIDA

获取价格

256M bits SDRAM (8M words x 32 bits)
EDS2532AABH-6B-E ELPIDA

获取价格

256M bits SDRAM (8M words x 32 bits)
EDS2532AABH-6BL-E ELPIDA

获取价格

256M bits SDRAM (8M words x 32 bits)