是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | TFBGA, | 针数: | 90 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.24 | 风险等级: | 5.49 |
访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 5.4 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | JESD-30 代码: | R-PBGA-B90 |
JESD-609代码: | e1 | 长度: | 13 mm |
内存密度: | 268435456 bit | 内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM |
内存宽度: | 32 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 90 |
字数: | 8388608 words | 字数代码: | 8000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 8MX32 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TFBGA |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.14 mm | 自我刷新: | YES |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 50 | 宽度: | 8 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
EDS2532AABB-60L-E | ELPIDA |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90 |
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EDS2532AABB-75-E | ELPIDA |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90 |
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EDS2532AABB-7A-E | ELPIDA |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90 |
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EDS2532AABB-7AL-E | ELPIDA |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90 |
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EDS2532AABH-1AR2 | ELPIDA |
获取价格 |
256M bits SDRAM |
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EDS2532AABH-1AR2-E | ELPIDA |
获取价格 |
256M bits SDRAM |
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EDS2532AABH-60-E | ELPIDA |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, LEAD FREE, FBGA-90 |
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EDS2532AABH-6B | ELPIDA |
获取价格 |
256M bits SDRAM (8M words x 32 bits) |
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EDS2532AABH-6B-E | ELPIDA |
获取价格 |
256M bits SDRAM (8M words x 32 bits) |
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EDS2532AABH-6BL-E | ELPIDA |
获取价格 |
256M bits SDRAM (8M words x 32 bits) |
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