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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | TFBGA, BGA54,9X9,32 |
| 针数： | 54 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.02 |
| 风险等级： | 5.84 | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 6 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 100 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 1,2,4,8 | JESD-30 代码： | S-PBGA-B54 |
| JESD-609代码： | e1 | 长度： | 8 mm |
| 内存密度： | 67108864 bit | 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 54 |
| 字数： | 4194304 words | 字数代码： | 4000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -25 °C | 组织： | 4MX16 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TFBGA | 封装等效代码： | BGA54,9X9,32 |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 4096 |
| 座面最大高度： | 1.05 mm | 自我刷新： | YES |
| 连续突发长度： | 1,2,4,8,FP | 最大待机电流： | 0.00001 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.06 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.95 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.65 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | OTHER |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 8 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| EDL6416CBBH | ELPIDA |
获取价格 |
64M bits Mobile RAM™ |
|
| EDL6416CBBH-75-F | ELPIDA |
获取价格 |
64M bits Mobile RAM™ |
|
| EDL7732CCMA-10-E | ELPIDA |
获取价格 |
256MB[8MX32]。两片EDL7732CCMA-10-E=EDL5132...资料参 |
|
| EDLC041720-050-2F-13 | TDK |
获取价格 |
双电层电容器(EDLC/超级电容器) |
|
| EDLC041720-100-2F-13 | TDK |
获取价格 |
双电层电容器(EDLC/超级电容器) |
|
| EDLC041720-150-2F-13 | TDK |
获取价格 |
双电层电容器(EDLC/超级电容器) |
|
| EDLC212520-351-2F-50 | TDK |
获取价格 |
双电层电容器(EDLC/超级电容器) |
|
| EDLC262520-501-2F-40 | TDK |
获取价格 |
双电层电容器(EDLC/超级电容器) |
|
| EDLC302520-501-2F-11 | TDK |
获取价格 |
双电层电容器(EDLC/超级电容器) |
|
| EDLC351420-501-2F-50 | TDK |
获取价格 |
T(Max.)=3.50mm |
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