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EDL6416CABB-10 PDF预览

EDL6416CABB-10

更新时间： 2024-11-04 20:01:19
品牌 Logo 应用领域
尔必达 - ELPIDA 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
59页 499K
描述
Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, FBGA-54

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EDL6416CABB-10 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：VFBGA,针数：54
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02风险等级：5.84
访问模式：FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间：6 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码：S-PBGA-B54
长度：8 mm内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM内存宽度：16
功能数量：1端口数量：1
端子数量：54字数：4194304 words
字数代码：4000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-25 °C
组织：4MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：VFBGA封装形状：SQUARE
封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1 mm自我刷新：YES
最大供电电压 (Vsup)：1.95 V最小供电电压 (Vsup)：1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：OTHER
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM宽度：8 mm
Base Number Matches：1

EDL6416CABB-10 数据手册

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PRELIMINARY DATA SHEET  
64M bits Mobile RAM  
EDL6416CA (4M words × 16 bits)  
Description  
Pin Configurations  
The EDL6416 is a 64M bits Mobile RAM organized as  
1,048,576 words × 16 bits × 4 banks. The low power  
synchronous DRAMs achieved low power consumption  
and high-speed data transfer using the pipeline  
architecture. All inputs and outputs are synchronized  
with the positive edge of the clock.  
/xxx indicates active low signal.  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
A
B
C
D
E
F
VSS DQ15 VSSQ  
DQ14 DQ13 VDDQ  
DQ12 DQ11 VSSQ  
DQ10 DQ9 VDDQ  
VDDQ DQ0  
VSSQ DQ2  
VDDQ DQ4  
VSSQ DQ6  
VDD  
DQ1  
DQ3  
DQ5  
This product is packaged in 54-ball FBGA.  
Features  
• Low power supply  
VDD:  
1.8V ± 0.15V  
VDDQ: 1.8V ± 0.15V  
DQ8  
NC  
VSS  
CKE  
A9  
VDD LDQM DQ7  
/CAS /RAS /WE  
• Wide temperature range (−25°C to 85°C)  
• Programmable partial self refresh  
• Programmable driver strength  
UDQM CLK  
G
H
J
NC  
A8  
A11  
A7  
BA0  
A0  
BA1  
A1  
/CS  
A10  
VDD  
• Programmable temperature compensated self refresh  
(Option)  
A6  
• Deep power down mode  
• Small package (54-ball FBGA)  
VSS  
A5  
A4  
A3  
A2  
• Fully Synchronous Dynamic RAM, with all signals  
referenced to a positive clock edge  
(Top view)  
• Pulsed interface  
A0 to A11  
BA0, BA1  
Address inputs  
Bank Select  
• Possible to assert random column address in every  
cycle  
DQ0 to DQ15  
CLK  
Data inputs / outputs  
Clock input  
• Quad internal banks controlled by BA0 (A13) and  
BA1 (A12)  
CKE  
Clock enable  
• Byte control by LDQM and UDQM  
• Wrap sequence = Sequential / Interleave  
• /CAS latency (CL) = 2, 3  
/CS  
Chip select  
/RAS  
/CAS  
/WE  
Row address strobe  
Column address strobe  
Write enable  
• Automatic precharge and controlled precharge  
• Auto refresh and self refresh  
• ×16 organization  
UDQM  
LDQM  
VDD  
Upper DQ mask enable  
Lower DQ mask enable  
Supply voltage  
• 4,096 refresh cycles/64ms  
• Burst termination by Burst stop command and  
Precharge command  
VSS  
Ground  
VDDQ  
VSSQ  
NC  
Supply voltage for DQ  
Ground for DQ  
No connect  
Applications  
Mobile cellular handset, PDA, wireless PDA, handheld  
PC, home electronic appliances, and information  
appliances, etc.  
Document No. E0197E10 (Ver. 1.0)  
Date Published July 2001 (K)  
Printed in Japan  
URL: http://www.elpida.com  
C
Elpida Memory, Inc. 2001  
Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.  
1234567...59

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与EDL6416CABB-10相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
EDL6416CABH-10-E ELPIDA

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 		Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, LEAD FREE, FBGA-54
EDL6416CBBH ELPIDA

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 		64M bits Mobile RAM™
EDL6416CBBH-75-F ELPIDA

获取价格

 		64M bits Mobile RAM™
EDL7732CCMA-10-E ELPIDA

获取价格

 		256MB[8MX32]。两片EDL7732CCMA-10-E=EDL5132...资料参
EDLC041720-050-2F-13 TDK

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 		双电层电容器(EDLC/超级电容器)
EDLC041720-100-2F-13 TDK

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