是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | LFBGA, BGA90,9X15,32 |
针数: | 90 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.28 |
风险等级: | 5.84 | 访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 7 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 100 MHz | I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 1,2,4,8 | JESD-30 代码: | R-PBGA-B90 |
JESD-609代码: | e1 | 长度: | 13 mm |
内存密度: | 536870912 bit | 内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM MODULE |
内存宽度: | 32 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 90 |
字数: | 16777216 words | 字数代码: | 16000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -25 °C | 组织: | 16MX32 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LFBGA | 封装等效代码: | BGA90,9X15,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 1.8 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 8192 |
座面最大高度: | 1.4 mm | 自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 1,2,4,8,FP | 最大待机电流: | 0.00002 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.12 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 1.95 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | OTHER |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 9 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
EDL6416AABB-75 | ELPIDA |
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Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, FBGA-54 | |
EDL6416BABH-75-E | ELPIDA |
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Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, LEAD FREE, FBGA-54 | |
EDL6416CABB-10 | ELPIDA |
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Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, FBGA-54 | |
EDL6416CABH-10-E | ELPIDA |
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Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, LEAD FREE, FBGA-54 | |
EDL6416CBBH | ELPIDA |
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64M bits Mobile RAM™ | |
EDL6416CBBH-75-F | ELPIDA |
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64M bits Mobile RAM™ | |
EDL7732CCMA-10-E | ELPIDA |
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256MB[8MX32]。两片EDL7732CCMA-10-E=EDL5132...资料参 | |
EDLC041720-050-2F-13 | TDK |
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双电层电容器(EDLC/超级电容器) | |
EDLC041720-100-2F-13 | TDK |
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双电层电容器(EDLC/超级电容器) | |
EDLC041720-150-2F-13 | TDK |
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双电层电容器(EDLC/超级电容器) |