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EDL5132CBMA-10-E

更新时间： 2024-11-25 22:27:47

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尔必达 - ELPIDA		/
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62页	559K
描述
512M bits Mobile RAM MCP 2 pcs of 256Mb components (16M words x 32 bits)

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EDL5132CBMA-10-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LFBGA, BGA90,9X15,32
针数：	90	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.28
风险等级：	5.84	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	7 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B90
JESD-609代码：	e1	长度：	13 mm
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度：	32	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	90
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	16MX32
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFBGA	封装等效代码：	BGA90,9X15,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.4 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.00002 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	9 mm
Base Number Matches：	1

EDL5132CBMA-10-E 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

512M bits Mobile RAM MCP

2 pcs of 256Mb components

EDL5132CBMA (16M words × 32 bits)

Description

Pin Configurations

The EDL5132CBMA is a 512M bits Mobile RAM MCP

(Multi Chip Package) organized as 4,194,304 words ×

32 bits × 4 banks, 2 pieces of 256M bits Mobile RAM in

one package. It is packaged in 90-ball FBGA.

/xxx indicates active low signal.

90-ball FBGA

DQ26 DQ24 VSS

DQ28 VDDQ VSSQ

VSSQ DQ27 DQ25

VSSQ DQ29 DQ30

VDDQ DQ31 NC

VSS DQM3 A3

VDD DQ23 DQ21

VDDQ VSSQ DQ19

DQ22 DQ20 VDDQ

DQ17 DQ18 VDDQ

NC DQ16 VSSQ

A2 DQM2 VDD

Features

• Low voltage power supply

VDD:

1.7V to 1.95V

VDDQ: 1.7V to 1.95V

• Wide temperature range (−25°C to 85°C)

• Programmable Partial Array Self Refresh

• Programmable Driver Strength

• Auto Temperature Compensated Self Refresh by

built-in temperature sensor.

A12

A10

• Deep power down mode

BA1 A11

• Fully Synchronous Dynamic RAM, with all signals

referenced to a positive clock edge

CLK CKE

DQM1 NC

BA0 /CS /RAS

/CAS /WE DQM0

VDD DQ7 VSSQ

DQ6 DQ5 VDDQ

DQ1 DQ3 VDDQ

VDDQ VSSQ DQ4

VDD DQ0 DQ2

• Pulsed interface

• Possible to assert random column address in every

cycle

VDDQ DQ8 VSS

VSSQ DQ10 DQ9

VSSQ DQ12 DQ14

DQ11 VDDQ VSSQ

DQ13 DQ15 VSS

• Quad internal banks controlled by BA0 and BA1

• Byte control by DQM

• Wrap sequence = Sequential/ Interleave

• /CAS latency (CL) = 2, 3

• Automatic precharge and controlled precharge

• Auto refresh and self refresh

• ×32 organization

(Top view)

• 8,192 refresh cycles/64ms

A0 to A12

BA0, BA1

DQ0 to DQ31

/CS

/RAS

/CAS

Address inputs

Bank select address

Data-input/output

Chip select

Row address strobe

Column address strobe

Write enable

• Burst termination by Burst stop command and

Precharge command

• FBGA package with lead free solder (Sn-Ag-Cu)

/WE

DQM0 to DQM3

CKE

DQ mask enable

Clock enable

CLK

Clock input

VDD

Power supply

VSS

Ground

VDDQ

VSSQ

Power supply for DQ

Ground for DQ

No connection

Document No. E0490E30 (Ver. 3.0)

Date Published September 2004 (K) Japan

URL: http://www.elpida.com

Elpida Memory, Inc. 2004

12 3 4 5 6 7...62

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