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EDK2516CBBH-10-E PDF预览

EDK2516CBBH-10-E

更新时间： 2024-11-04 21:02:35
品牌 Logo 应用领域
尔必达 - ELPIDA 时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
55页 622K
描述
DDR DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA60, LEAD FREE, FBGA-60

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EDK2516CBBH-10-E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：TFBGA, BGA60,9X10,32
针数：60Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.24
风险等级：5.84访问模式：FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：7 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：100 MHzI/O 类型：COMMON
交错的突发长度：2,4,8JESD-30 代码：R-PBGA-B60
长度：13 mm内存密度：268435456 bit
内存集成电路类型：DDR DRAM内存宽度：16
功能数量：1端口数量：1
端子数量：60字数：16777216 words
字数代码：16000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-25 °C
组织：16MX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装等效代码：BGA60,9X10,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：1.8 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：8192座面最大高度：1.2 mm
自我刷新：YES连续突发长度：2,4,8
最大待机电流：0.0004 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.075 mA最大供电电压 (Vsup)：1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：1.65 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：OTHER端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：9 mm
Base Number Matches：1

EDK2516CBBH-10-E 数据手册

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PRELIMINARY DATA SHEET  
256M bits DDR Mobile RAM  
EDK2516CBBH (16M words × 16 bits)  
Description  
Pin Configurations  
The EDK2516CBBH is a 256M bits DDR Mobile RAM  
organized as 4,194,304 words ×16 bits × 4 banks. The  
DDR Mobile RAM achieved low power consumption  
and high-speed data transfer using the 2 bits prefetch-  
pipeline architecture. Command and address inputs  
are synchronized with the positive edge of the clock.  
Data inputs and outputs are synchronized with both  
edges of DQS (Data Strobe). DLL is not implemented.  
This product is packaged in 60-ball FBGA.  
/xxx indicates active low signal.  
60-ball FBGA  
A
B
C
VSS DQ15 VSSQ  
VDDQ DQ13 DQ14  
VDDQ DQ0 VDD  
DQ1 DQ2 VSSQ  
Features  
DQ11 DQ12  
DQ4 VDDQ  
VSSQ  
VDDQ  
VSSQ  
VSS  
DQ3  
• Low voltage power supply  
D
E
F
VDD: 1.8V ± 0.15V  
VDDQ: 1.8V ± 0.15V  
• Wide temperature range (−25°C to +85°C)  
• Programmable Partial Array Self Refresh  
• Programmable Driver Strength  
DQ9 DQ10  
UDQS DQ8  
DQ5 DQ6 VSSQ  
DQ7 LDQS VDDQ  
NC  
LDM VDD  
UDM  
CK  
NC  
G
• Auto Temperature Compensated Self Refresh by  
/
CKE  
CK  
/WE /CAS /RAS  
built-in temperature sensor.  
H
J
A9  
A11  
A12  
A8  
/CS  
A10  
A2  
BA0  
A0  
BA1  
A1  
• Deep power down mode  
• Small package (60-ball FBGA)  
• FBGA package with lead free solder (Sn-Ag-Cu)  
• Data rate: 200Mbps/IO(max)  
A6  
A7  
A4  
K
VSS  
A5  
A3  
VDD  
• Double Data Rate architecture: two data transfers per  
one clock cycle  
• Bi-directional, data strobe (DQS) is transmitted  
/received with data, to be used in capturing data at  
the receiver.  
7
8
9
1
2
3
(Top View)  
A0 to A12  
BA0, BA1  
DQ0 to DQ15  
UDQS, LDQS  
/CS  
/RAS  
/CAS  
Address input  
• 1.8V LVCMOS interface  
Bank select address  
Data-input/output  
Input and output data strobe  
Chip select  
Row address strobe command  
Column address strobe command  
Write enable  
• Command and address signals refer to a positive  
clock edge  
• Quad internal banks controlled by BA0 and BA1  
• Data mask (DM) for write data  
• Wrap sequence = Sequential/ Interleave  
• Programmable burst length (BL) = 2, 4, 8  
• Automatic precharge and controlled precharge  
• Auto refresh and self refresh  
/WE  
UDM, LDM  
Write data mask  
Clock input  
CK  
/CK  
Differential clock input  
Clock enable  
CKE  
VDD  
VSS  
VDDQ  
VSSQ  
NC  
Power for internal circuit  
Ground for internal circuit  
Power for DQ circuit  
Ground for DQ circuit  
No connection  
• 8,192 refresh cycles/64ms  
(7.8µs maximum average periodic refresh interval)  
• Burst termination by Burst stop command and  
Precharge command  
Document No. E0300E90 (Ver. 9.0)  
Date Published November 2004 (K) Japan  
URL: http://www.elpida.com  
Elpida Memory, Inc. 2002-2004  
1234567...55

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与EDK2516CBBH-10-E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
EDK2516CBBH-15-E ELPIDA

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 		DDR DRAM, 16MX16, 9ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60
EDK334M050A9BAA KEMET

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