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EDJ2108BCSE-DJ-F

更新时间： 2024-11-28 20:56:23

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尔必达 - ELPIDA		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
148页	1789K
描述
DDR DRAM, 256MX8, 20ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78

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EDJ2108BCSE-DJ-F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA78,9X13,32
针数：	78	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.71	访问模式：	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间：	20 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	667 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B78
JESD-609代码：	e1	长度：	10.6 mm
内存密度：	2147483648 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	78
字数：	268435456 words	字数代码：	256000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：		组织：	256MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA78,9X13,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	1.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	4,8	最大待机电流：	0.015 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.25 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.575 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.425 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.5 mm	Base Number Matches：	1

EDJ2108BCSE-DJ-F 数据手册

DATA SHEET

2G bits DDR3 SDRAM

EDJ2104BCSE (512M words × 4 bits)

EDJ2108BCSE (256M words × 8 bits)

Features

Specifications

• Density: 2G bits

• Organization

64M words × 4 bits × 8 banks (EDJ2104BCSE)

32M words × 8 bits × 8 banks (EDJ2108BCSE)

• Package

• Double-data-rate architecture: two data transfers per

clock cycle

• The high-speed data transfer is realized by the 8 bits

prefetch pipelined architecture

• Bi-directional differential data strobe (DQS and /DQS)

is transmitted/received with data for capturing data at

the receiver

78-ball FBGA

Lead-free (RoHS compliant) and Halogen-free

• Power supply: VDD, VDDQ = 1.5V ± 0.075V

• Data rate

• DQS is edge-aligned with data for READs; center-

aligned with data for WRITEs

• Differential clock inputs (CK and /CK)

• DLL aligns DQ and DQS transitions with CK

1600Mbps/1333Mbps/1066Mbps/800Mbps (max.)

• 1KB page size

transitions

• Commands entered on each positive CK edge; data

Row address: A0 to A14

and data mask referenced to both edges of DQS

Column address: A0 to A9, A11 (EDJ2104BCSE)

• Data mask (DM) for write data

A0 to A9 (EDJ2108BCSE)

• Posted /CAS by programmable additive latency for

• Eight internal banks for concurrent operation

• Interface: SSTL_15

• Burst lengths (BL): 8 and 4 with Burst Chop (BC)

• Burst type (BT):

Sequential (8, 4 with BC)

Interleave (8, 4 with BC)

• /CAS Latency (CL): 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11

• /CAS Write Latency (CWL): 5, 6, 7, 8

better command and data bus efficiency

• On-Die Termination (ODT) for better signal quality

Synchronous ODT

Dynamic ODT

Asynchronous ODT

• Multi Purpose Register (MPR) for pre-defined pattern

read out

• ZQ calibration for DQ drive and ODT

• Programmable Partial Array Self-Refresh (PASR)

• Precharge: auto precharge option for each burst

access

• /RESET pin for Power-up sequence and reset

• Driver strength: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240Ω)

• Refresh: auto-refresh, self-refresh

• Refresh cycles

function

• SRT range:

Normal/extended

• Programmable Output driver impedance control

Average refresh period

7.8µs at 0°C ≤ TC ≤ +85°C

3.9µs at +85°C < TC ≤ +95°C

• Operating case temperature range

TC = 0°C to +95°C

Document No. E1677E20 (Ver. 2.0)

Date Published August 2010 (K) Japan

Printed in Japan

URL: http://www.elpida.com

Elpida Memory, Inc. 2010

12 3 4 5 6 7...148

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