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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 15 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | S-PQCC-J68 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 16777216 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 32 | 端子数量： | 68 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 512KX32 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | QCCJ | 封装等效代码： | LDCC68,1.0SQ |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.04 A |
| 最小待机电流： | 3.14 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.72 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| EDI8LM32513V15AI | ETC |
获取价格 |
x32 SRAM |
|
| EDI8LM32513V15AM | ETC |
获取价格 |
x32 SRAM |
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| EDI8LM32513V20AC | ETC |
获取价格 |
x32 SRAM |
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| EDI8LM32513V20AI | ETC |
获取价格 |
x32 SRAM |
|
| EDI8LM32513V20AM | ETC |
获取价格 |
x32 SRAM |
|
| EDI8M11024C | ETC |
获取价格 |
HIGH SPEED MEGABIT SRAM MODULE |
|
| EDI8M16256C45C9B | ETC |
获取价格 |
x16 SRAM Module |
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| EDI8M16256C55C9B | ETC |
获取价格 |
x16 SRAM Module |
|
| EDI8M16256C70C9B | ETC |
获取价格 |
x16 SRAM Module |
|
| EDI8M16257C | ETC |
获取价格 |
HIGH SPEED FOUR MEGABIT SRAM MODULE |
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