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EDI8LM32513C20AI

更新时间: 2024-01-16 19:23:53
品牌 Logo 应用领域
WEDC 输入元件静态存储器输出元件内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 221K
描述
Standard SRAM, 512KX32, 20ns, CMOS, PQCC68,

EDI8LM32513C20AI 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
Is Samacsys:N最长访问时间:20 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:S-PQCC-J68
JESD-609代码:e0内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:32
端子数量:68字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:512KX32输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:QCCJ
封装等效代码:LDCC68,1.0SQ封装形状:SQUARE
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.04 A最小待机电流:4.75 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.72 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
Base Number Matches:1

EDI8LM32513C20AI 数据手册

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