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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 15 ns | 其他特性： | TTL COMPATIBLE INPUT OUTPUT |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | S-PQCC-J68 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 8388608 bit |
| 内存集成电路类型： | SRAM MODULE | 内存宽度： | 32 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 68 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256KX32 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | QCCJ | 封装等效代码： | LDCC68,1.0SQ |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.02 A | 最小待机电流： | 4.75 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.575 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| EDI8LM32257C15AI | WEDC |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX32, 15ns, CMOS, PQCC68, |
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| EDI8LM32257C15AM | WEDC |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX32, 15ns, CMOS, PQCC68, |
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| EDI8LM32257C20AC | WEDC |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX32, 20ns, CMOS, PQCC68, |
|
| EDI8LM32257C20AI | WEDC |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX32, 20ns, CMOS, PQCC68, |
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| EDI8LM32257C20AM | WEDC |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX32, 20ns, CMOS, PQCC68, |
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| EDI8LM32257C25AI | WEDC |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX32, 25ns, CMOS, PQCC68, |
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| EDI8LM32257C25AM | WEDC |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX32, 25ns, CMOS, PQCC68, |
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| EDI8LM32257V12AC | WEDC |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX32, 12ns, CMOS, PQCC68, |
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| EDI8LM32257V15AC | WEDC |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX32, 15ns, CMOS, PQCC68, |
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| EDI8LM32513C12AC | WEDC |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX32, 12ns, CMOS, PQCC68, |
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