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EDI8L32512V20AC

更新时间： 2024-02-10 16:47:19
品牌 Logo 应用领域
玛居礼 - MERCURY 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 689K
描述
SRAM Module, 512KX32, 20ns, CMOS, PQCC68, PLASTIC, MO-47AE, LCC-68

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EDI8L32512V20AC 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.83
最长访问时间：20 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：S-PQCC-J68JESD-609代码：e0
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：SRAM MODULE
内存宽度：32功能数量：1
端子数量：68字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：512KX32输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：QCCJ
封装等效代码：LDCC68,1.0SQ封装形状：SQUARE
封装形式：CHIP CARRIER并行/串行：PARALLEL
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
最大待机电流：0.04 A最小待机电流：3.14 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.64 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.465 V最小供电电压 (Vsup)：3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：QUAD
Base Number Matches：1

EDI8L32512V20AC 数据手册

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EDI8L32512V  
512Kx32 SRAM Module.3.3V  
FEATURES  
DESCRIPTION  
 DSP Memory Solution  
• ADSP-21060L (SHARC)  
• ADSP-21062L (SHARC)  
• Texas Instruments TMS320LC31  
 RISC Memory Solution  
• MPC860 (Power Quic)  
The EDI8L32512V is a high speed, 3.3V, 16 megabit SRAM. The  
device is available with access times of 12, 15, 17 and 20ns allowing  
the creation of a no wait state DSP and RISC microprocessor memory  
solutions.  
The device can be configured as a 512K x 32 and used to create a  
single chip external data memory solution for TI's TMS320LC31 (figure  
5), or Analog's SHARCTM DSP (figure 6).  
The device provides a 56% space savings when compared to four  
512Kx8, 36 pin SOJs. In addition the EDI8K32512V has only a 10pF  
load on the data lines vs. 32 pF for four plastic SOJs.  
 Random Access Memory Array  
• Fast Access Times: 12, 15, 17, 20 and 25ns  
• Individual Byte Enables  
The device provides a memory upgrade of the EDI8F32256V (256K  
x 32) or the EDI8L32128V (128K x 32) (figure 8). Alternatively, the  
device's chip enables can configure it as a 1M x 16. A 1M x 48  
program memory array for Analog's CHARC DSP is created using  
three devices (figure 7). If this memory is too deep, two 512K x  
24s (EDI8L24512V) can be used to create a 512K x 48 array or  
two 128K x 24s (EDI8L24128V) can be used to create a 128K x  
48 array.  
• User configuration organization with Minimal Additional  
Logic  
• Master Output Enable and Write Control  
• TTL Compatible Inputs and Outputs  
• Fully Static, No Clocks  
 Surface Mount Package  
• 68 Lead PLCC, No. 99 JEDEC MO-47AE  
• Small Footprint, 0.990 Sq. In.  
This product is subject to change without notice.  
NOTE: Soldier Reflow Temperature should not exceed 260°C for 10 seconds.  
• Multiple Ground Pins for Maximum Noise Immunity  
 Single +3.3V (±5%) Supply Operation  
FIGURE 1 – PIN CONFIGURATIONS  
PIN DESCRIPTION  
A0-A18  
E0#-E3#  
W#  
Address Inputs  
Chip Enables (One per Byte)  
Master Write Enable  
Master Output Enable  
Common Data Input/Output  
Power (+3.3V±5%)  
Ground  
G#  
DQ0-DQ31  
VCC  
60 DQ14  
DQ17 10  
59 DQ13  
DQ18 11  
58 DQ12  
DQ19 12  
VSS  
57  
VSS  
V
SS  
13  
NC  
No Connectiona  
56 DQ11  
55 DQ10  
54 DQ9  
53 DQ8  
52 VCC  
51 DQ7  
50 DQ6  
49 DQ5  
48 DQ4  
DQ20 14  
DQ21 15  
DQ22 16  
DQ23 17  
V
CC  
18  
BLOCK DIAGRAM  
DQ24 19  
DQ25 20  
DQ26 21  
DQ27 22  
A0-18  
G#  
47  
VSS  
19  
V
SS  
23  
46 DQ3  
45 DQ2  
44 DQ1  
DQ28 24  
DQ29 25  
DQ30 26  
W#  
DQ0-DQ7  
512K x 32  
Memory  
Array  
E0#  
E1#  
E2#  
E3#  
DQ8-DQ15  
DQ16-DQ23  
DQ24-DQ31  
Microsemi Corporation reserves the right to change products or specifications without notice.  
May 2011 © 2011 Microsemi Corporation. All rights reserved.  
Rev. 5  
1
Microsemi Corporation • (602) 437-1520 • www.whiteedc.com  
www.microsemi.com  
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与EDI8L32512V20AC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
EDI8L32512V20AI MERCURY

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 		SRAM Module, 512KX32, 20ns, CMOS, PQCC68, PLASTIC, MO-47AE, LCC-68
EDI8L32512V20AI WEDC

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