Datasheet > EDI8832LP70CB

EDI8832LP70CB

更新时间： 2024-11-02 04:40:11

品牌	Logo	应用领域
EDI		内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
6页	378K
描述
High Performance 256K Monolithic SRAM

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

EDI8832LP70CB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.26
最长访问时间：	70 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-CDIP-T28	JESD-609代码：	e0
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	32KX8
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP28,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流：	0.00015 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

www.DataSheet4U.com

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
EDI8832LP70LB	EDI	获取价格	High Performance 256K Monolithic SRAM
EDI8832LP70QB	EDI	获取价格	High Performance 256K Monolithic SRAM
EDI8832LP85CB	EDI	获取价格	High Performance 256K Monolithic SRAM
EDI8832LP85LB	EDI	获取价格	High Performance 256K Monolithic SRAM
EDI8832LP85QB	EDI	获取价格	High Performance 256K Monolithic SRAM
EDI8833C	ETC	获取价格	HIGH SPEED 256K MONOLITHIC SRAM
EDI8833LP	ETC	获取价格	HIGH SPEED 256K MONOLITHIC SRAM
EDI8833P	ETC	获取价格	HIGH SPEED 256K MONOLITHIC SRAM
EDI88512C	WEDC	获取价格	512Kx8 Monolithic SRAM, CMOS
EDI88512C/LP-C	ETC	获取价格	SRAM