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EDI8832C100CB

更新时间： 2024-01-18 14:12:41

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EDI		内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
6页	378K
描述
High Performance 256K Monolithic SRAM

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EDI8832C100CB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.28
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	100 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-CDIP-T28
JESD-609代码：	e0	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	32KX8	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP28,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B	最大待机电流：	0.00085 A
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.08 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
EDI8832C100LB	EDI	High Performance 256K Monolithic SRAM	获取价格
EDI8832C100QB	EDI	High Performance 256K Monolithic SRAM	获取价格
EDI8832C1200CB	EDI	High Performance 256K Monolithic SRAM	获取价格
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