是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | DLCC | 包装说明: | SON, SOLCC32,.4 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.88 | 最长访问时间: | 55 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-XDSO-N32 |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 端子数量: | 32 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 128KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC |
封装代码: | SON | 封装等效代码: | SOLCC32,.4 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.002 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.2 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
EDI88130LPS55NB | MICROSEMI |
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Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, SOJ-32 | |
EDI88130LPS55NC | MICROSEMI |
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Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, SOJ-32 | |
EDI88130LPS55NM | MICROSEMI |
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Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, SOJ-32 | |
EDI88130LPS55TB | MICROSEMI |
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Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32 | |
EDI88130LPS55TI | MICROSEMI |
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Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32 | |
EDI88130LPS55TM | MICROSEMI |
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Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32 | |
EDI88130LPSCB | ETC |
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128Kx8 Monolithic SRAM, SMD 5962-89598 | |
EDI88130LPSCC | ETC |
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128Kx8 Monolithic SRAM, SMD 5962-89598 | |
EDI88130LPSCI | ETC |
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128Kx8 Monolithic SRAM, SMD 5962-89598 | |
EDI88130LPSCM | ETC |
获取价格 |
128Kx8 Monolithic SRAM, SMD 5962-89598 |