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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.14 |
| 最长访问时间： | 85 ns | 其他特性： | AUTOMATIC POWER-DOWN |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-CDSO-N32 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 128KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码： | SON | 封装等效代码： | SOLCC32,.4 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B | 最大待机电流： | 0.001 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.095 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| EDI88128P85LI | WEDC |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, CDSO32, |
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| EDI88128P85LM | WEDC |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, CDSO32, |
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| EDI88128P85TI | WEDC |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, CDIP32, |
|
| EDI88128P85TM | WEDC |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, CDIP32, |
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| EDI88128P85ZM | WEDC |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, CZIP32, |
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| EDI88128V15MI | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| EDI88128V15MM | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| EDI88128V20MI | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| EDI88128V20MM | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| EDI88128V25MI | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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