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EDI88128C35NI

更新时间: 2024-02-29 06:39:34
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WEDC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
8页 210K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, CDSO32,

EDI88128C35NI 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:CERAMIC, LCC-32Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.64Is Samacsys:N
最长访问时间:35 ns其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWN
JESD-30 代码:R-CDSO-N32长度:20.83 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:128KX8封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:SON封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
座面最大高度:2.4384 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

EDI88128C35NI 数据手册

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