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EDF1BM-E3/45

更新时间： 2024-11-08 22:59:23

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威世 - VISHAY		光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	83K
描述
DIODE GPP 1A 100V 50NS 4DIP

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EDF1BM-E3/45 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDIP-T4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	1.29
其他特性：	UL RECOGNIZED	最小击穿电压：	100 V
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.05 V
JESD-30 代码：	R-PDIP-T4	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	50 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	100 V	最大反向恢复时间：	0.05 µs
子类别：	Bridge Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE

EDF1BM-E3/45 数据手册

EDF1AM, EDF1BM, EDF1CM, EDF1DM

www.vishay.com

Vishay General Semiconductor

Miniature Glass Passivated Ultrafast Bridge Rectifier

FEATURES

• UL recognition, file number E54214

• Ideal for printed circuit boards

• Ultrafast reverse recovery time for high

frequency

• Applicable for automated insertion

• High surge current capability

• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

• Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS

General purpose use in AC/DC bridge full wave rectification

for SMPS, lighting ballaster, adapter, battery charger, home

appliances, office equipment, and telecommunication

applications.

Case Style DFM

LINKS TO ADDITIONAL RESOURCES

MECHANICAL DATA

3D Models

Case: DFM

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

1 A

Terminals: matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test

V_RRM

50 V, 100 V, 150 V, 200 V

I_FSM

50 A

5 μA

I_R

V_Fat I_F= 1.0 A

t_rr

Polarity: as marked on body

1.05 V

50 ns

150 °C

DFM



T_Jmax.

Package

Circuit configuration

Quad

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

EDF1AM

EDF1BM EDF1CM EDF1DM

UNIT

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

V_RRM

V_RMS

V_DC

100

150

106

150

200

140

200

Maximum DC blocking voltage

100

Maximum average forward output rectified current at T_A= 40 °C

I_F(AV)

1.0

Peak forward surge current single sine-wave superimposed on

rated load

I_FSM

Rating for fusing (t < 8.3 ms)

I²t

A²s

°C

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

-55 to +150

Revision: 03-Sep-2020

Document Number: 88577

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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