是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | BGA, BGA64,9X15,32 |
针数: | 64 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.28 |
风险等级: | 5.83 | 访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 0.5 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 267 MHz | I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 4,8 | JESD-30 代码: | R-PBGA-B64 |
内存密度: | 536870912 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 64 |
字数: | 67108864 words | 字数代码: | 64000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 64MX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | BGA | 封装等效代码: | BGA64,9X15,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 1.8 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 8192 |
自我刷新: | YES | 连续突发长度: | 4,8 |
子类别: | DRAMs | 最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
EDE5108ABSE | ELPIDA |
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512M bits DDR2 SDRAM | |
EDE5108ABSE-4A-E | ELPIDA |
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512M bits DDR2 SDRAM | |
EDE5108ABSE-4C-E | ELPIDA |
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DDR DRAM, 64MX8, 0.6ns, CMOS, PBGA64, FBGA-64 | |
EDE5108ABSE-5A-E | ELPIDA |
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暂无描述 | |
EDE5108ABSE-5C-E | ELPIDA |
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512M bits DDR2 SDRAM | |
EDE5108ABSE-AE | ELPIDA |
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512M bits DDR2 SDRAM for HYPER DIMM | |
EDE5108ABSE-AE-E | ELPIDA |
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512M bits DDR2 SDRAM for HYPER DIMM | |
EDE5108ABSE-BE | ELPIDA |
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512M bits DDR2 SDRAM for HYPER DIMM | |
EDE5108ABSE-BE-E | ELPIDA |
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512M bits DDR2 SDRAM for HYPER DIMM | |
EDE5108AESK | ELPIDA |
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512M bits DDR2 SDRAM |