生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | TFBGA, | 针数: | 84 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.24 | 风险等级: | 5.81 |
访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 0.35 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | JESD-30 代码: | R-PBGA-B84 |
JESD-609代码: | e1 | 长度: | 12.5 mm |
内存密度: | 268435456 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 84 |
字数: | 16777216 words | 字数代码: | 16000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | 组织: | 16MX16 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TFBGA |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
自我刷新: | YES | 最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | OTHER | 端子面层: | TIN SILVER COPPER |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 宽度: | 8 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
EDE2516AEBG-6E-E | ELPIDA |
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256M bits DDR2 SDRAM | |
EDE2516AEBG-8E-E | ELPIDA |
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256M bits DDR2 SDRAM | |
EDE300 | ETC |
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EDE300 Parallel/ Serial Transceiver IC | |
EDE5104ABSA-4A-E | ELPIDA |
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DDR DRAM, 128MX4, 0.6ns, CMOS, PBGA64, MICRO, FBGA-64 | |
EDE5104ABSA-5A-E | ELPIDA |
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DDR DRAM, 128MX4, 0.5ns, CMOS, PBGA64, MICRO, FBGA-64 | |
EDE5104ABSE | ELPIDA |
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512M bits DDR2 SDRAM | |
EDE5104ABSE-4A-E | ELPIDA |
获取价格 |
512M bits DDR2 SDRAM | |
EDE5104ABSE-5A-E | ELPIDA |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX4, 0.5ns, CMOS, PBGA64, MICRO, FBGA-64 | |
EDE5104ABSE-5C-E | ELPIDA |
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512M bits DDR2 SDRAM | |
EDE5104AESK | ELPIDA |
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512M bits DDR2 SDRAM |