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EDE2516AASE-4C-E

更新时间： 2024-11-08 06:55:55

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尔必达 - ELPIDA		动态存储器双倍数据速率
页数	文件大小	规格书
66页	673K
描述
256M bits DDR2 SDRAM

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EDE2516AASE-4C-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA,
针数：	84	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
风险等级：	5.83	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PBGA-B84	长度：	13.8 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	84
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：		组织：	16MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.12 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	11.3 mm	Base Number Matches：	1

EDE2516AASE-4C-E 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

256M bits DDR2 SDRAM

EDE2504AASE (64M words × 4 bits)

EDE2508AASE (32M words × 8 bits)

EDE2516AASE (16M words × 16 bits)

Features

Description

The EDE2504AA is a 256M bits DDR2 SDRAM

• 1.8V power supply

organized as 16,777,216 words × 4 bits × 4 banks.

• Double-data-rate architecture: two data transfers per

clock cycle

The EDE2508AA is a 256M bits DDR2 SDRAM

organized as 8,388,608 words × 8 bits × 4 banks.

• Bi-directional, differential data strobe (DQS and

/DQS) is transmitted/received with data, to be used in

capturing data at the receiver

They are packaged in 64-ball FBGA package.

The EDE2516AA is a 256M bits DDR2 SDRAM

organized as 4,194,304 words × 16 bits × 4 banks.

• DQS is edge aligned with data for READs: center-

aligned with data for WRITEs

It is packaged in 84-ball FBGA package.

• Differential clock inputs (CK and /CK)

• DLL aligns DQ and DQS transitions with CK

transitions

• Commands entered on each positive CK edge: data

and data mask referenced to both edges of DQS

• Four internal banks for concurrent operation

• Data mask (DM) for write data

• Burst lengths: 4, 8

• /CAS Latency (CL): 3, 4, 5

• Auto precharge operation for each burst access

• Auto refresh and self refresh modes

• 7.8µs average periodic refresh interval

• 1.8V (SSTL_18 compatible) I/O

• Posted CAS by programmable additive latency for

better command and data bus efficiency

• Off-Chip-Driver Impedance Adjustment and On-Die-

Termination for better signal quality

• Programmable RDQS, /RDQS output for making × 8

organization compatible to × 4 organization

• /DQS, (/RDQS) can be disabled for single-ended

Data Strobe operation.

• FBGA package is lead free solder (Sn-Ag-Cu)

Document No. E0427E11 (Ver. 1.1)

Date Published February 2006 (K) Japan

URL: http://www.elpida.com

Elpida Memory, Inc. 2003-2006

12 3 4 5 6 7...66

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