是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | TFBGA, BGA84,9X15,32 |
针数: | 84 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.32 |
风险等级: | 5.79 | Is Samacsys: | N |
访问模式: | MULTI BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 0.4 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK): | 400 MHz |
I/O 类型: | COMMON | 交错的突发长度: | 4,8 |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B84 | JESD-609代码: | e1 |
长度: | 12.5 mm | 内存密度: | 1073741824 bit |
内存集成电路类型: | DDR DRAM | 内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 84 |
字数: | 67108864 words | 字数代码: | 64000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 组织: | 64MX16 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TFBGA | 封装等效代码: | BGA84,9X15,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 1.8 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 8192 |
座面最大高度: | 1.2 mm | 自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 4,8 | 最大待机电流: | 0.01 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.17 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 8 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
EDE1116BEBG | ELPIDA |
获取价格 |
1G bits DDR2 SDRAM | |
EDE1116BEBG-6G-F | ELPIDA |
获取价格 |
1G bits DDR2 SDRAM | |
EDE1144 | ETC |
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Keypad Encoder IC | |
EDE-1144 | ETC |
获取价格 |
Keypad Encoder IC | |
EDE1200 | ETC |
获取价格 |
Unipolar Stepper Motor IC | |
EDE1204 | ETC |
获取价格 |
Bi-Polar Stepper Motor IC | |
EDE12400 | ETC |
获取价格 |
BI-POLAR CHOPPER STEPPER MOTOR CONTROL MODULE | |
EDE1400 | ETC |
获取价格 |
Parallel-Printer Interface IC | |
EDE2104AASE-5C-E | ELPIDA |
获取价格 |
DDR DRAM, 512MX4, CMOS, PBGA68, ROHS COMPLIANT, FBGA-68 | |
EDE2104AASE-8G-E | ELPIDA |
获取价格 |
DDR DRAM, 512MX4, CMOS, PBGA68, ROHS COMPLIANT, FBGA-68 |