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EDE1116AGBG-6E-F

更新时间： 2024-09-18 14:49:59

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尔必达 - ELPIDA		动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
78页	767K
描述
DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84

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EDE1116AGBG-6E-F 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA,	针数：	84
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.32	风险等级：	5.41
Is Samacsys：	N	访问模式：	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.45 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PBGA-B84	长度：	12.5 mm
内存密度：	1073741824 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	84
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	95 °C
最低工作温度：		组织：	64MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

EDE1116AGBG-6E-F 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

1G bits DDR2 SDRAM

EDE1108AGBG (128M words × 8 bits)

EDE1116AGBG (64M words × 16 bits)

Features

Specifications

• Density: 1G bits

• Double-data-rate architecture; two data transfers per

clock cycle

• Organization

• The high-speed data transfer is realized by the 4 bits

prefetch pipelined architecture

16M words × 8 bits × 8 banks (EDE1108AGBG)

8M words × 16 bits × 8 banks (EDE1116AGBG)

• Package

• Bi-directional differential data strobe (DQS and /DQS)

is transmitted/received with data for capturing data at

the receiver

60-ball FBGA (EDE1108AGBG)

84-ball FBGA (EDE1116AGBG)

Lead-free (RoHS compliant) and Halogen-free

• Power supply: VDD, VDDQ = 1.8V ± 0.1V

• Data rate

• DQS is edge-aligned with data for READs; center-

aligned with data for WRITEs

• Differential clock inputs (CK and /CK)

• DLL aligns DQ and DQS transitions with CK

transitions

800Mbps/667Mbps (max.)

• 1KB page size (EDE1108AGBG)

Row address: A0 to A13

• Commands entered on each positive CK edge; data

and data mask referenced to both edges of DQS

• Data mask (DM) for write data

Column address: A0 to A9

• 2KB page size (EDE1116AGBG)

Row address: A0 to A12

• Posted /CAS by programmable additive latency for

better command and data bus efficiency

• Programmable RDQS, /RDQS output for making × 8

organization compatible to × 4 organization

Column address: A0 to A9

• Eight internal banks for concurrent operation

• Interface: SSTL_18

• /DQS, (/RDQS) can be disabled for single-ended

Data Strobe operation

• Burst lengths (BL): 4, 8

• DLL-off mode support

• Burst type (BT):

133MHz max, CL = 3, ODT disabled

Sequential (4, 8)

• Off-Chip Driver (OCD) impedance adjustment is not

supported.

Interleave (4, 8)

• /CAS Latency (CL): 3, 4, 5, 6

• Precharge: auto precharge option for each burst

access

• Driver strength: normal, weak

• Refresh: auto-refresh, self-refresh

• Refresh cycles: 8192 cycles/64ms

Average refresh period

7.8µs at 0°C ≤ TC ≤ +85°C

3.9µs at +85°C < TC ≤ +95°C

• Operating case temperature range

TC = 0°C to +95°C

Document No. E1472E10 (Ver.1.0)

Date Published March 2009 (K) Japan

Printed in Japan

URL: http://www.elpida.com

Elpida Memory, Inc. 2009

12 3 4 5 6 7...78

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