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EDE1116AESE-8E-F

更新时间： 2024-11-07 06:55:55

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尔必达 - ELPIDA		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数	文件大小	规格书
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描述
1G bits DDR2 SDRAM

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EDE1116AESE-8E-F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA84,9X15,32
针数：	84	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.32
风险等级：	5.8	Is Samacsys：	N
访问模式：	MULTI BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	400 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B84	JESD-609代码：	e1
长度：	12.5 mm	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	84	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：
组织：	64MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA84,9X15,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.18 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	4,8
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.35 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

EDE1116AESE-8E-F 数据手册

DATA SHEET

1G bits DDR2 SDRAM

EDE1108AESE (128M words × 8 bits)

EDE1116AESE (64M words × 16 bits)

Features

Specifications

• Density: 1G bits

• Double-data-rate architecture; two data transfers per

clock cycle

• Organization

• The high-speed data transfer is realized by the 4 bits

prefetch pipelined architecture

16M words × 8 bits × 8 banks (EDE1108AESE)

8M words × 16 bits × 8 banks (EDE1116AESE)

• Package

• Bi-directional differential data strobe (DQS and /DQS)

is transmitted/received with data for capturing data at

the receiver

60-ball FBGA (EDE1108AESE)

84-ball FBGA (EDE1116AESE)

• DQS is edge-aligned with data for READs; center-

aligned with data for WRITEs

Lead-free (RoHS compliant)

(EDE1108AESE-xx-E, EDE1116AESE-xx-E)

• Differential clock inputs (CK and /CK)

Lead-free (RoHS compliant) and Halogen-free

(EDE1108AESE-xx-F, EDE1116AESE-xx-F)

• DLL aligns DQ and DQS transitions with CK

transitions

• Power supply: VDD, VDDQ = 1.8V ± 0.1V

• Data rate

• Commands entered on each positive CK edge; data

and data mask referenced to both edges of DQS

• Data mask (DM) for write data

800Mbps/667Mbps (max.)

• 1KB page size (EDE1108AESE)

Row address: A0 to A13

Column address: A0 to A9

• 2KB page size (EDE1116AESE)

Row address: A0 to A12

Column address: A0 to A9

• Eight internal banks for concurrent operation

• Interface: SSTL_18

• Posted /CAS by programmable additive latency for

better command and data bus efficiency

• Off-Chip-Driver Impedance Adjustment and On-Die-

Termination for better signal quality

• Programmable RDQS, /RDQS output for making × 8

organization compatible to × 4 organization

• /DQS, (/RDQS) can be disabled for single-ended

Data Strobe operation

• Burst lengths (BL): 4, 8

• Burst type (BT):

Sequential (4, 8)

Interleave (4, 8)

• /CAS Latency (CL): 3, 4, 5, 6

• Precharge: auto precharge option for each burst

access

• Driver strength: normal/weak

• Refresh: auto-refresh, self-refresh

• Refresh cycles: 8192 cycles/64ms

Average refresh period

7.8µs at 0°C ≤ TC ≤ +85°C

3.9µs at +85°C < TC ≤ +95°C

• Operating case temperature range

TC = 0°C to +95°C

Document No. E1290E30 (Ver. 3.0)

Date Published January 2009 (K) Japan

Printed in Japan

URL: http://www.elpida.com

Elpida Memory, Inc. 2008-2009

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