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EDE1116ACSE-6ELI-E

更新时间： 2024-11-07 06:55:55

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尔必达 - ELPIDA		动态存储器双倍数据速率
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75页	721K
描述
1G bits DDR2 SDRAM WTR (Wide Temperature Range)

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EDE1116ACSE-6ELI-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA84,9X15,32
针数：	84	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.32
风险等级：	5.82	访问模式：	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.45 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	333 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B84
长度：	13 mm	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	84	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	95 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	64MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA84,9X15,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	4,8
最大待机电流：	0.01 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.31 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	11 mm
Base Number Matches：	1

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DATA SHEET

1G bits DDR2 SDRAM

WTR (Wide Temperature Range)

EDE1116ACSE-LI (64M words × 16 bits)

Specifications

Features

• Density: 1G bits

• Double-data-rate architecture; two data transfers per

clock cycle

• Organization

• The high-speed data transfer is realized by the 4 bits

prefetch pipelined architecture

8M words × 16 bits × 8 banks

• Package

• Bi-directional differential data strobe (DQS and /DQS)

is transmitted/received with data for capturing data at

the receiver

84-ball FBGA

Lead-free (RoHS compliant)

• Power supply: VDD, VDDQ = 1.8V ± 0.1V

• Data rate: 667Mbps (max.)

• 2KB page size

• DQS is edge-aligned with data for READs; center-

aligned with data for WRITEs

• Differential clock inputs (CK and /CK)

• DLL aligns DQ and DQS transitions with CK

transitions

Row address: A0 to A12

Column address: A0 to A9

• Eight internal banks for concurrent operation

• Interface: SSTL_18

• Commands entered on each positive CK edge; data

and data mask referenced to both edges of DQS

• Data mask (DM) for write data

• Burst lengths (BL): 4, 8

• Burst type (BT):

• Posted /CAS by programmable additive latency for

better command and data bus efficiency

Sequential (4, 8)

• Off-Chip-Driver Impedance Adjustment and On-Die-

Termination for better signal quality

Interleave (4, 8)

• /CAS Latency (CL): 3, 4, 5

• /DQS can be disabled for single-ended Data Strobe

operation

• Precharge: auto precharge option for each burst

access

• Wide temperature range

TC = −40°C to +95°C

• Driver strength: normal/weak

• Refresh: auto-refresh, self-refresh

• Refresh cycles: 8192 cycles/64ms

Average refresh period: 7.8µs

• Operating case temperature range

TC = −40°C to +95°C

Document No. E1103E20 (Ver. 2.0)

Date Published June 2008 (K) Japan

Printed in Japan

URL: http://www.elpida.com

Elpida Memory, Inc. 2007-2008

12 3 4 5 6 7...75

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