Datasheet > EDE1116ACSE-6C-E

EDE1116ACSE-6C-E

更新时间： 2024-11-09 20:57:51

品牌	Logo	应用领域
尔必达 - ELPIDA		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
82页	646K
描述
Synchronous DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

EDE1116ACSE-6C-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA60,9X11,32
针数：	84	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.32
风险等级：	5.82	访问模式：	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.45 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	333 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B84
长度：	13 mm	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	84	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
组织：	64MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA60,9X11,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	4,8
最大待机电流：	0.01 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.315 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	11 mm	Base Number Matches：	1

EDE1116ACSE-6C-E 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

1G bits DDR2 SDRAM

EDE1104ACSE (256M words × 4 bits)

EDE1108ACSE (128M words × 8 bits)

EDE1116ACSE (64M words × 16 bits)

Features

Specifications

• Density: 1G bits

• Organization

⎯ 32M words × 4 bits × 8 banks (EDE1104ACSE)

⎯ 16M words × 8 bits × 8 banks (EDE1108ACSE)

⎯ 8M words × 16 bits × 8 banks (EDE1116ACSE)

• Package

• Double-data-rate architecture; two data transfers per

clock cycle

• The high-speed data transfer is realized by the 4 bits

prefetch pipelined architecture

• Bi-directional differential data strobe (DQS and /DQS)

is transmitted/received with data for capturing data at

the receiver

⎯ 60-ball FBGA (EDE1104/1108ACSE)

⎯ 84-ball FBGA (EDE1116ACSE)

⎯ Lead-free (RoHS compliant)

• Power supply: VDD, VDDQ = 1.8V 0.1V

• Data rate

⎯ 800Mbps/667Mbps/533Mbps (max.)

• 1KB page size (EDE1104/1108ACSE)

⎯ Row address: A0 to A13

• DQS is edge-aligned with data for READs; center-

aligned with data for WRITEs

• Differential clock inputs (CK and /CK)

• DLL aligns DQ and DQS transitions with CK

transitions

• Commands entered on each positive CK edge; data

and data mask referenced to both edges of DQS

• Data mask (DM) for write data

• Posted /CAS by programmable additive latency for

better command and data bus efficiency

⎯ Column address: A0 to A9, A11 (EDE1104ACSE)

A0 to A9 (EDE1108ACSE)

• Off-Chip-Driver Impedance Adjustment and On-Die-

Termination for better signal quality

• 2KB page size (EDE1116ACSE)

⎯ Row address: A0 to A12

⎯ Column address: A0 to A9

• Eight internal banks for concurrent operation

• Interface: SSTL_18

• Programmable RDQS, /RDQS output for making × 8

organization compatible to × 4 organization

• /DQS, (/RDQS) can be disabled for single-ended

Data Strobe operation

• Burst lengths (BL): 4, 8

• Burst type (BT):

⎯ Sequential (4, 8)

⎯ Interleave (4, 8)

• /CAS Latency (CL): 3, 4, 5

• Precharge: auto precharge option for each burst

access

• Driver strength: normal/weak

• Refresh: auto-refresh, self-refresh

• Refresh cycles: 8192 cycles/64ms

⎯ Average refresh period

7.8μs at 0°C ≤ TC ≤ +85°C

3.9μs at +85°C < TC ≤ +95°C

• Operating case temperature range

⎯ TC = 0°C to +95°C

Document No. E0975E20 (Ver. 2.0)

Date Published January 2007 (K) Japan

Printed in Japan

URL: http://www.elpida.com

12 3 4 5 6 7...82

中文翻译

下载PDF

与EDE1116ACSE-6C-E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
EDE1116ACSE-6E-E	ELPIDA	获取价格	1G bits DDR2 SDRAM
EDE1116ACSE-6ELI-E	ELPIDA	获取价格	1G bits DDR2 SDRAM WTR (Wide Temperature Range)
EDE1116ACSE-8E-E	ELPIDA	获取价格	1G bits DDR2 SDRAM
EDE1116ACSE-LI	ELPIDA	获取价格	1G bits DDR2 SDRAM WTR (Wide Temperature Range)
EDE1116AEBG	ELPIDA	获取价格	1G bits DDR2 SDRAM
EDE1116AEBG-6E-F	ELPIDA	获取价格	1G bits DDR2 SDRAM
EDE1116AEBG-8E-F	ELPIDA	获取价格	1G bits DDR2 SDRAM
EDE1116AESE	ELPIDA	获取价格	1G bits DDR2 SDRAM
EDE1116AESE-6E-E	ELPIDA	获取价格	1G bits DDR2 SDRAM
EDE1116AESE-6E-F	ELPIDA	获取价格	1G bits DDR2 SDRAM

与EDE1116ACSE-6C-E相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

23
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

21
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

49
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

39

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

EDE1116ACSE-6C-E

EDE1116ACSE-6C-E 技术参数

EDE1116ACSE-6C-E 数据手册

与EDE1116ACSE-6C-E相关器件

与EDE1116ACSE-6C-E相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

EDE1116ACSE-6C-E

EDE1116ACSE-6C-E 技术参数

EDE1116ACSE-6C-E 数据手册

与EDE1116ACSE-6C-E相关器件

与EDE1116ACSE-6C-E相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？