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EDE1108AFSE-8E-F

更新时间： 2024-09-18 06:55:55

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尔必达 - ELPIDA		动态存储器双倍数据速率
页数	文件大小	规格书
78页	650K
描述
1G bits DDR2 SDRAM

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EDE1108AFSE-8E-F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA60,9X11,32
针数：	60	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.32
风险等级：	5.7	访问模式：	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	400 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B60
JESD-609代码：	e1	长度：	10.5 mm
内存密度：	1073741824 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	60
字数：	134217728 words	字数代码：	128000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：		组织：	128MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA60,9X11,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.18 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	4,8	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.29 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

EDE1108AFSE-8E-F 数据手册

DATA SHEET

1G bits DDR2 SDRAM

EDE1104AFSE (256M words × 4 bits)

EDE1108AFSE (128M words × 8 bits)

Features

Specifications

• Density: 1G bits

• Organization

⎯ 32M words × 4 bits × 8 banks (EDE1104AFSE)

⎯ 16M words × 8 bits × 8 banks (EDE1108AFSE)

• Package

• Double-data-rate architecture; two data transfers per

clock cycle

• The high-speed data transfer is realized by the 4 bits

prefetch pipelined architecture

• Bi-directional differential data strobe (DQS and /DQS)

is transmitted/received with data for capturing data at

the receiver

⎯ 60-ball FBGA

⎯ Lead-free (RoHS compliant) and Halogen-free

• Power supply: VDD, VDDQ = 1.8V 0.1V

• Data rate

• DQS is edge-aligned with data for READs; center-

aligned with data for WRITEs

• Differential clock inputs (CK and /CK)

• DLL aligns DQ and DQS transitions with CK

⎯ 800Mbps/667Mbps (max.)

• 1KB page size

⎯ Row address: A0 to A13

transitions

• Commands entered on each positive CK edge; data

and data mask referenced to both edges of DQS

⎯ Column address: A0 to A9, A11 (EDE1104AFSE)

• Data mask (DM) for write data

A0 to A9 (EDE1108AFSE)

• Posted /CAS by programmable additive latency for

• Eight internal banks for concurrent operation

• Interface: SSTL_18

• Burst lengths (BL): 4, 8

• Burst type (BT):

⎯ Sequential (4, 8)

⎯ Interleave (4, 8)

better command and data bus efficiency

• Off-Chip-Driver Impedance Adjustment and On-Die-

Termination for better signal quality

• Programmable RDQS, /RDQS output for making × 8

organization compatible to × 4 organization

• /DQS, (/RDQS) can be disabled for single-ended

Data Strobe operation

• /CAS Latency (CL): 3, 4, 5, 6

• Precharge: auto precharge option for each burst

access

• Driver strength: normal/weak

• Refresh: auto-refresh, self-refresh

• Refresh cycles: 8192 cycles/64ms

⎯ Average refresh period

7.8µs at 0°C ≤ TC ≤ +85°C

3.9µs at +85°C < TC ≤ +95°C

• Operating case temperature range

⎯ TC = 0°C to +95°C

Document No. E1390E30 (Ver. 3.0)

Date Published April 2009 (K) Japan

Printed in Japan

URL: http://www.elpida.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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EDE1108AGBG-6E-F	ELPIDA	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
EDE1108AJBG	ELPIDA	获取价格	1G bits DDR2 SDRAM
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