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EDD51323CBH-6DLS-E

更新时间： 2024-09-18 20:06:23

品牌	Logo	应用领域
尔必达 - ELPIDA		动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
59页	812K
描述
DDR DRAM, 16MX32, 5ns, CMOS, PBGA90, ROHS COMPLIANT, FBGA-90

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EDD51323CBH-6DLS-E 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA,	针数：	90
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.28	风险等级：	5.3
Is Samacsys：	N	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PBGA-B90	JESD-609代码：	e1
长度：	13 mm	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	32
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	90	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	16MX32	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.08 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

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PRELIMINARY DATA SHEET

512M bits DDR SDRAM

WTR (Wide Temperature Range), Low Power Function

EDD51323CBH-LS(16M words × 32 bits)

Specifications

Features

• Density: 512M bits

• DLL is not implemented

• Low power consumption

• Partial Array Self-Refresh (PASR)

• Organization: 4M words × 32 bits × 4 banks

• Package: 90-ball FBGA

Lead-free (RoHS compliant)

• Power supply: VDD, VDDQ = 1.8V ± 0.1V

• Data rate: 333Mbps/266Mbps (max.)

• 2KB page size

• Auto Temperature Compensated Self-Refresh

(ATCSR) by built-in temperature sensor

• Deep power-down mode

• Double-data-rate architecture; two data transfers per

one clock cycle

Row address: A0 to A12

• The high-speed data transfer is realized by the 2 bits

Column address: A0 to A8

• Four internal banks for concurrent operation

• Interface: LVCMOS

• Burst lengths (BL): 2, 4, 8, 16

• Burst type (BT):

prefetch pipelined architecture

• Bi-directional data strobe (DQS) is transmitted

/received with data for capturing data at the receiver.

• Data inputs, outputs, and DM are synchronized with

DQS

• DQS is edge-aligned with data for READs; center-

Sequential (2, 4, 8, 16)

Interleave (2, 4, 8, 16)

• /CAS Latency (CL): 3

aligned with data for WRITEs

• Differential clock inputs (CK and /CK)

• Commands entered on each positive CK edge: data

• Precharge: auto precharge option for each burst

and data mask referenced to both edges of DQS

access

• Data mask (DM) for write data

• Driver strength: normal, 1/2, 1/4, 1/8

• Refresh: auto-refresh, self-refresh

• Refresh cycles: 8192 cycles/64ms

Average refresh period: 7.8µs

• Operating ambient temperature range

TA = −25°C to +85°C

• Burst termination by burst stop command and

precharge command

• Wide temperature range

TA = −25°C to +85°C

Document No. E1355E20 (Ver. 2.0)

Date Published December 2008 (K) Japan

Printed in Japan

URL: http://www.elpida.com

Elpida Memory, Inc. 2008

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