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EDD5116AGTA-7ALI-E

更新时间： 2024-09-18 06:55:55

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尔必达 - ELPIDA		存储内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率
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描述
512M bits DDR SDRAM WTR (Wide Temperature Range)

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EDD5116AGTA-7ALI-E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2,	针数：	66
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.28	风险等级：	5.32
Is Samacsys：	N	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.75 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PDSO-G66	JESD-609代码：	e6
长度：	22.22 mm	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	66	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	50
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

EDD5116AGTA-7ALI-E 数据手册

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PRELIMINARY DATA SHEET

512M bits DDR SDRAM

WTR (Wide Temperature Range)

EDD5108AGTA-LI (64M words × 8 bits)

EDD5116AGTA-LI (32M words × 16 bits)

Features

Specifications

• Density: 512M bits

• Organization

• Double-data-rate architecture; two data transfers per

clock cycle

• The high-speed data transfer is realized by the 2 bits

prefetch pipelined architecture

⎯ 16M words × 8 bits × 4 banks (EDD5108AGTA)

⎯ 8M words × 16 bits × 4 banks (EDD5116AGTA)

• Package: 66-pin plastic TSOP (II)

⎯ Lead-free (RoHS compliant)

• Power supply: VDD, VDDQ = 2.5V 0.2V

• Data rate: 400Mbps/333Mbps/266Mbps (max.)

• Four internal banks for concurrent operation

• Interface: SSTL_2

• Bi-directional data strobe (DQS) is transmitted

/received with data for capturing data at the receiver

• Data inputs, outputs, and DM are synchronized with

DQS

• DQS is edge-aligned with data for READs; center-

aligned with data for WRITEs

• Differential clock inputs (CK and /CK)

• DLL aligns DQ and DQS transitions with CK

• Burst lengths (BL): 2, 4, 8

• Burst type (BT):

⎯ Sequential (2, 4, 8)

⎯ Interleave (2, 4, 8)

• /CAS Latency (CL): 2, 2.5, 3

• Precharge: auto precharge option for each burst

access

transitions

• Commands entered on each positive CK edge; data

and data mask referenced to both edges of DQS

• Data mask (DM) for write data

• ·Wide temperature range

⎯ TA = –40°C to +85°C

• Driver strength: normal/weak

• Refresh: auto-refresh, self-refresh

• Refresh cycles: 8192 cycles/64ms

⎯ Average refresh period: 7.8μs

• Operating ambient temperature range

⎯ TA = –40°C to +85°C

Document No. E1304E10 (Ver. 1.0)

Date Published April 2008 (K) Japan

Printed in Japan

URL: http://www.elpida.com

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