是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP2 |
包装说明: | TSOP2, TSSOP66,.46 | 针数: | 66 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.28 | 风险等级: | 5.8 |
访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 0.7 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK): | 200 MHz |
I/O 类型: | COMMON | 交错的突发长度: | 2,4,8 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G66 | 长度: | 22.22 mm |
内存密度: | 536870912 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 66 |
字数: | 33554432 words | 字数代码: | 32000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 32MX16 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP2 | 封装等效代码: | TSSOP66,.46 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 2.6 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 8192 |
座面最大高度: | 1.2 mm | 自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 2,4,8 | 最大待机电流: | 0.005 A |
子类别: | DRAMs | 最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 2.6 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.65 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
EDD5116AFTA-5BH-E | ELPIDA |
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512M bits DDR SDRAM High Quality Product | |
EDD5116AFTA-5C-E | ELPIDA |
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512M bits DDR SDRAM | |
EDD5116AFTA-6B-E | ELPIDA |
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512M bits DDR SDRAM | |
EDD5116AFTA-6BH-E | ELPIDA |
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512M bits DDR SDRAM High Quality Product | |
EDD5116AFTA-6BTI-E | ELPIDA |
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512M bits DDR SDRAM WTR (Wide Temperature Range) | |
EDD5116AFTA-7A-E | ELPIDA |
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512M bits DDR SDRAM | |
EDD5116AFTA-7B-E | ELPIDA |
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512M bits DDR SDRAM | |
EDD5116AFTA-H | ELPIDA |
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512M bits DDR SDRAM High Quality Product | |
EDD5116AFTA-TI | ELPIDA |
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512M bits DDR SDRAM WTR (Wide Temperature Range) | |
EDD5116AGTA | ELPIDA |
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512M bits DDR SDRAM |