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EDD5116AFBG-6B-E

更新时间： 2024-11-07 11:45:07

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尔必达 - ELPIDA		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
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描述
512M bits DDR SDRAM

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EDD5116AFBG-6B-E 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA,	针数：	60
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.28	风险等级：	5.8
Is Samacsys：	N	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.7 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PBGA-B60	JESD-609代码：	e1
长度：	12.5 mm	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	60	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	10 mm	Base Number Matches：	1

EDD5116AFBG-6B-E 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

512M bits DDR SDRAM

EDD5108AFBG (64M words × 8 bits)

EDD5116AFBG (32M words × 16 bits)

Features

Specifications

• Density: 512M bits

• Organization

16M words × 8 bits × 4 banks (EDD5108AFBG)

8M words × 16 bits × 4 banks (EDD5116AFBG)

• Package: 60-ball FBGA

Lead-free (RoHS compliant)

• Power supply:

• Double-data-rate architecture; two data transfers per

clock cycle

• The high-speed data transfer is realized by the 2 bits

prefetch pipelined architecture

• Bi-directional data strobe (DQS) is transmitted

/received with data for capturing data at the receiver

• Data inputs, outputs, and DM are synchronized with

DQS

DDR400: VDD, VDDQ = 2.6V ± 0.1V

DDR333: VDD, VDDQ = 2.5V ± 0.2V

• Data rate: 400Mbps/333Mbps (max.)

• Four internal banks for concurrent operation

• Interface: SSTL_2

• Burst lengths (BL): 2, 4, 8

• Burst type (BT):

• DQS is edge-aligned with data for READs; center-

aligned with data for WRITEs

• Differential clock inputs (CK and /CK)

• DLL aligns DQ and DQS transitions with CK

transitions

• Commands entered on each positive CK edge; data

and data mask referenced to both edges of DQS

• Data mask (DM) for write data

Sequential (2, 4, 8)

Interleave (2, 4, 8)

• /CAS Latency (CL): 2, 2.5, 3

• Precharge: auto precharge option for each burst

access

• Driver strength: normal/weak

• Refresh: auto-refresh, self-refresh

• Refresh cycles: 8192 cycles/64ms

Average refresh period: 7.8µs

• Operating ambient temperature range

TA = 0°C to +70°C

Document No. E0887E20 (Ver. 2.0)

This product became EOL in April, 2010.

Date Published November 2006 (K) Japan

Printed in Japan

URL: http://www.elpida.com

Elpida Memory, Inc. 2006

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EDD5116AFTA-5BH-E	ELPIDA	获取价格	512M bits DDR SDRAM High Quality Product
EDD5116AFTA-5C-E	ELPIDA	获取价格	512M bits DDR SDRAM
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