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Datasheet > 存储 > DRAM> EDD5116ADTA-5CLI-E
EDD5116ADTA-5CLI-E PDF预览

EDD5116ADTA-5CLI-E

更新时间： 2024-09-18 06:55:55
品牌 Logo 应用领域
尔必达 - ELPIDA 存储内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
48页 547K
描述
512M bits DDR SDRAM WTR (Wide Temperature Range)

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EDD5116ADTA-5CLI-E 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSSOP,针数：66
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.28风险等级：5.29
Is Samacsys：N访问模式：FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：0.7 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：R-PDSO-G66长度：22.22 mm
内存密度：536870912 bit内存集成电路类型：DDR DRAM
内存宽度：16功能数量：1
端口数量：1端子数量：66
字数：33554432 words字数代码：32000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：32MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
自我刷新：YES最大供电电压 (Vsup)：2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：2.5 V标称供电电压 (Vsup)：2.6 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

EDD5116ADTA-5CLI-E 数据手册

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DATA SHEET  
512M bits DDR SDRAM  
WTR (Wide Temperature Range)  
EDD5116ADTA-5CLI-E (32M words × 16 bits, DDR400)  
Description  
Pin Configurations  
The EDD5116AD is 512M bits Double Data Rate  
(DDR) SDRAM, organized as 8,388,608 words × 16  
bits × 4 banks.  
Read and write operations are performed at the cross  
points of the CK and the /CK. This high-speed data  
transfer is realized by the 2 bits prefetch-pipelined  
architecture. Data strobe (DQS) both for read and  
write are available for high speed and reliable data bus  
design. By setting extended mode register, the on-chip  
Delay Locked Loop (DLL) can be set enable or disable.  
/xxx indicates active low signal.  
66-pin Plastic TSOP(II)  
VDD  
DQ0  
VDDQ  
DQ1  
DQ2  
VSSQ  
DQ3  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
66  
VSS  
DQ15  
VSSQ  
DQ14  
DQ13  
VDDQ  
DQ12  
DQ11  
VSSQ  
DQ10  
DQ9  
VDDQ  
DQ8  
NC  
VSSQ  
UDQS  
NC  
VREF  
VSS  
UDM  
/CK  
CK  
CKE  
NC  
A12  
A11  
A9  
A8  
A7  
A6  
65  
64  
63  
62  
61  
60  
59  
58  
57  
56  
55  
54  
53  
52  
51  
50  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
DQ4  
VDDQ  
DQ5 10  
DQ6 11  
VSSQ 12  
DQ7 13  
NC 14  
VDDQ 15  
LDQS 16  
NC 17  
It is packaged in 66-pin plastic TSOP (II).  
Features  
• Power supply: VDD, VDDQ = 2.6V ± 0.1V  
• Data rate: 400Mbps (max.)  
• Double Data Rate architecture; two data transfers per  
VDD 18  
NC 19  
clock cycle  
LDM 20  
/WE 21  
/CAS 22  
/RAS 23  
/CS 24  
NC 25  
BA0 26  
BA1 27  
A10(AP) 28  
A0 29  
• Bi-directional data strobe (DQS) is transmitted  
/received with data for capturing data at the receiver  
• Data inputs, outputs, and DM are synchronized with  
DQS  
• 4 internal banks for concurrent operation  
• DQS is edge aligned with data for READs; center  
aligned with data for WRITEs  
A1 30  
A2 31  
A3 32  
VDD 33  
• Differential clock inputs (CK and /CK)  
A5  
A4  
VSS  
• DLL aligns DQ and DQS transitions with CK  
transitions  
• Commands entered on each positive CK edge; data  
(Top view)  
and data mask referenced to both edges of DQS  
A0 to A12  
Address input  
Bank select address  
Data-input/output  
Input and output data strobe  
Chip select  
Row address strobe command  
Column address strobe command  
Write enable  
Input mask  
Clock input  
Differential clock input  
Clock enable  
Input reference voltage  
Power for internal circuit  
Ground for internal circuit  
Power for DQ circuit  
Ground for DQ circuit  
No connection  
• Data mask (DM) for write data  
• Auto precharge option for each burst access  
• SSTL_2 compatible I/O  
• Programmable burst length (BL): 2, 4, 8  
• Programmable /CAS latency (CL): 3  
• Programmable output driver strength: normal/weak  
• Refresh cycles: 8192 refresh cycles/64ms  
7.8µs maximum average periodic refresh interval  
• 2 variations of refresh  
Auto refresh  
Self refresh  
• Ambient temperature range: –40 to +85°C  
• TSOP package with lead free solder (Sn-Bi)  
BA0, BA1  
DQ0 to DQ15  
LDQS, UDQS  
/CS  
/RAS  
/CAS  
/WE  
LDM, UDM  
CK  
/CK  
CKE  
VREF  
VDD  
VSS  
VDDQ  
VSSQ  
NC  
Document No. E0563E10 (Ver. 1.0) This product became EOL in September, 2007.  
Date Published July 2004 (K) Japan  
URL: http://www.elpida.com  
Elpida Memory, Inc. 2004  
1234567...48

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