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EDD5108AGTA-7B-E

更新时间： 2024-09-18 03:33:27

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尔必达 - ELPIDA		存储内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率时钟
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512M bits DDR SDRAM

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EDD5108AGTA-7B-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSSOP66,.46
针数：	66	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.28
风险等级：	5.84	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.75 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G66
JESD-609代码：	e6	长度：	22.22 mm
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	66
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSSOP66,.46
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	2,4,8	最大待机电流：	0.005 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.3 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

EDD5108AGTA-7B-E 数据手册

DATA SHEET

512M bits DDR SDRAM

EDD5108AGTA (64M words × 8 bits)

EDD5116AGTA (32M words × 16 bits)

Features

Specifications

• Density: 512M bits

• Organization

• Double-data-rate architecture; two data transfers per

clock cycle

• The high-speed data transfer is realized by the 2 bits

prefetch pipelined architecture

⎯ 16M words × 8 bits × 4 banks (EDD5108AGTA)

⎯ 8M words × 16 bits × 4 banks (EDD5116AGTA)

• Package: 66-pin plastic TSOP (II)

⎯ Lead-free (RoHS compliant)

• Power supply: VDD, VDDQ = 2.5V 0.2V

• Data rate: 400Mbps/333Mbps/266Mbps (max.)

• Four internal banks for concurrent operation

• Interface: SSTL_2

• Bi-directional data strobe (DQS) is transmitted

/received with data for capturing data at the receiver

• Data inputs, outputs, and DM are synchronized with

DQS

• DQS is edge-aligned with data for READs; center-

aligned with data for WRITEs

• Differential clock inputs (CK and /CK)

• DLL aligns DQ and DQS transitions with CK

• Burst lengths (BL): 2, 4, 8

• Burst type (BT):

⎯ Sequential (2, 4, 8)

⎯ Interleave (2, 4, 8)

transitions

• Commands entered on each positive CK edge; data

and data mask referenced to both edges of DQS

• Data mask (DM) for write data

• /CAS Latency (CL): 2, 2.5, 3

• Precharge: auto precharge option for each burst

access

• Driver strength: normal/weak

• Refresh: auto-refresh, self-refresh

• Refresh cycles: 8192 cycles/64ms

⎯ Average refresh period: 7.8μs

• Operating ambient temperature range

⎯ TA = 0°C to +70°C

Document No. E1191E20 (Ver. 2.0)

Date Published February 2008 (K) Japan

Printed in Japan

URL: http://www.elpida.com

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