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EDD5108AGTA-4B-E

更新时间： 2024-11-09 06:55:55

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尔必达 - ELPIDA		存储内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率时钟
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描述
512M bits DDR SDRAM

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EDD5108AGTA-4B-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSSOP66,.46
针数：	66	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.28
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.7 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	250 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G66	JESD-609代码：	e6
长度：	22.22 mm	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	66	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSSOP66,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	2,4,8
最大待机电流：	0.005 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.35 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.625 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.375 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

EDD5108AGTA-4B-E 数据手册

DATA SHEET

512M bits DDR SDRAM

EDD5108AGTA-4 (64M words × 8 bits)

EDD5116AGTA-4 (32M words × 16 bits)

Features

Specifications

• Density: 512M bits

• Organization

• Double-data-rate architecture; two data transfers per

clock cycle

• The high-speed data transfer is realized by the 2 bits

prefetch pipelined architecture

⎯ 16M words × 8 bits × 4 banks (EDD5108AGTA)

⎯ 8M words × 16 bits × 4 banks (EDD5116AGTA)

• Package: 66-pin plastic TSOP (II)

⎯ Lead-free (RoHS compliant)

• Power supply: VDD, VDDQ = 2.5V 0.125V

• Data rate: 500Mbps (max.)

• Four internal banks for concurrent operation

• Interface: SSTL_2

• Bi-directional data strobe (DQS) is transmitted

/received with data for capturing data at the receiver

• Data inputs, outputs, and DM are synchronized with

DQS

• DQS is edge-aligned with data for READs; center-

aligned with data for WRITEs

• Differential clock inputs (CK and /CK)

• DLL aligns DQ and DQS transitions with CK

• Burst lengths (BL): 2, 4, 8

• Burst type (BT):

⎯ Sequential (2, 4, 8)

⎯ Interleave (2, 4, 8)

transitions

• Commands entered on each positive CK edge; data

and data mask referenced to both edges of DQS

• Data mask (DM) for write data

• /CAS Latency (CL): 3

• Precharge: auto precharge option for each burst

access

• Driver strength: normal/weak

• Refresh: auto-refresh, self-refresh

• Refresh cycles: 8192 cycles/64ms

⎯ Average refresh period: 7.8μs

• Operating ambient temperature range

⎯ TA = 0°C to +70°C

Document No. E1195E20 (Ver. 2.0)

Date Published February 2008 (K) Japan

Printed in Japan

URL: http://www.elpida.com

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