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EDD5108ABTA-7A

更新时间： 2024-09-16 22:39:39
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尔必达 - ELPIDA 动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
50页 438K
描述
512M bits DDR SDRAM

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EDD5108ABTA-7A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2, TSSOP66,.46
针数：66Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.28
风险等级：5.56访问模式：FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：0.75 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：133 MHzI/O 类型：COMMON
交错的突发长度：2,4,8JESD-30 代码：R-PDSO-G66
JESD-609代码：e0长度：22.22 mm
内存密度：536870912 bit内存集成电路类型：DDR DRAM
内存宽度：8功能数量：1
端口数量：1端子数量：66
字数：67108864 words字数代码：64000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：64MX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSSOP66,.46
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：2.5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：8192
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：YES
连续突发长度：2,4,8最大待机电流：0.003 A
子类别：DRAMs最大供电电压 (Vsup)：2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：2.3 V标称供电电压 (Vsup)：2.5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

EDD5108ABTA-7A 数据手册

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PRELIMINARY DATA SHEET  
512M bits DDR SDRAM  
EDD5104ABTA (128M words × 4 bits)  
EDD5108ABTA (64M words × 8 bits)  
Pin Configurations  
Description  
The EDD5104AB is a 512M bits Double Data Rate  
(DDR) SDRAM organized as 33,554,432 words × 4 bits  
× 4 banks. The EDD5108AB is a 512M bits DDR  
SDRAM organized as 16,777,216 words × 8 bits × 4  
banks. Read and write operations are performed at the  
cross points of the CK and the /CK. This high-speed  
data transfer is realized by the 2 bits prefetch-pipelined  
architecture. Data strobe (DQS) both for read and  
write are available for high speed and reliable data bus  
design. By setting extended mode resistor, the on-chip  
Delay Locked Loop (DLL) can be set enable or disable.  
/xxx indicates active low signal.  
66-pin TSOP(II)10.16mm(400)  
VDD  
NC  
VDD  
DQ0  
VSS VSS  
DQ7 NC  
VSSQ VSSQ  
1
2
66  
65  
64  
63  
62  
61  
60  
59  
58  
57  
56  
55  
54  
53  
52  
51  
50  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
VDDQ VDDQ  
3
NC  
NC  
NC  
NC  
4
DQ0  
DQ1  
DQ6 DQ3  
VDDQ VDDQ  
5
VSSQ VSSQ  
6
NC  
NC  
NC  
DQ2  
NC  
NC  
7
8
DQ5 NC  
VSSQ VSSQ  
VDDQ VDDQ  
9
NC  
DQ1  
VSSQ VSSQ  
NC  
NC  
VDDQ VDDQ  
NC  
NC  
VDD  
NC  
NC  
/WE  
/CAS  
/RAS  
/CS  
NC  
BA0  
BA1  
NC  
DQ3  
NC  
NC  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
28  
29  
30  
31  
32  
33  
DQ4 DQ2  
VDDQ VDDQ  
They are packaged in standard 66-pin plastic TSOP  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
(II)10.16mm(400).  
VSSQ VSSQ  
DQS DQS  
Features  
NC  
NC  
VDD  
NC  
NC  
NC  
• 2.5 V power supply: VDDQ = 2.5V ± 0.2V  
: VDD = 2.5V ± 0.2V  
• Data Rate: 333Mbps/266Mbps (max.)  
VREF VREF  
VSS VSS  
NC  
DM  
/CK  
CK  
DM  
/CK  
CK  
/WE  
/CAS  
/RAS  
/CS  
NC  
BA0  
BA1  
• Double Data Rate architecture; two data transfers per  
CKE CKE  
clock cycle  
NC  
A12  
A11  
A9  
NC  
A12  
A11  
A9  
• Bi-directional, data strobe (DQS) is transmitted  
/received with data, to be used in capturing data at  
the receiver  
A10(AP) A10(AP)  
A8  
A8  
• Data inputs, outputs, and DM are synchronized with  
A0  
A1  
A2  
A3  
VDD  
A0  
A1  
A2  
A3  
VDD  
A7  
A7  
DQS  
A6  
A6  
A5  
A5  
• 4 internal banks for concurrent operation  
A4  
A4  
• DQS is edge aligned with data for READs; center  
VSS VSS  
aligned with data for WRITEs  
X 8  
• Differential clock inputs (CK and /CK)  
X 4  
• DLL aligns DQ and DQS transitions with CK  
(Top view)  
transitions  
A0 to A12  
BA0, BA1  
DQ0 to DQ7  
DQS  
Address input  
Bank select address  
Data-input/output  
Input and output data strobe  
Chip select  
Row address strobe command  
Column address strobe command  
Write enable  
Input mask  
Clock input  
Differential clock input  
Clock enable  
Input reference voltage  
Power for internal circuit  
Ground for internal circuit  
Power for DQ circuit  
Ground for DQ circuit  
No connection  
• Commands entered on each positive CK edge; data  
and data mask referenced to both edges of DQS  
• Data mask (DM) for write data  
• Auto precharge option for each burst access  
• 2.5 V (SSTL_2 compatible) I/O  
• Programmable burst length (BL): 2, 4, 8  
• Programmable /CAS latency (CL): 2, 2.5  
• Refresh cycles: 8192 refresh cycles/64ms  
7.8µs maximum average periodic refresh interval  
• 2 variations of refresh  
/CS  
/RAS  
/CAS  
/WE  
DM  
CK  
/CK  
CKE  
VREF  
VDD  
VSS  
Auto refresh  
Self refresh  
VDDQ  
VSSQ  
NC  
Document No. E0237E30 (Ver. 3.0)  
Date Published August 2002 (K) Japan  
URL: http://www.elpida.com  
Elpida Memory, Inc. 2002  
1234567...50

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
EDD5108ABTA-7B ELPIDA

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 		512M bits DDR SDRAM
EDD5108ADTA ELPIDA

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 		512M bits DDR SDRAM
EDD5108ADTA-5B ELPIDA

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 		暂无描述
EDD5108ADTA-5B-E ELPIDA

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 		DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, PLASTIC, TSOP2-66
EDD5108ADTA-5C ELPIDA

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 		512M bits DDR SDRAM
EDD5108ADTA-5C-E ELPIDA

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 		DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, PLASTIC, TSOP2-66
EDD5108ADTA-6B ELPIDA

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 		512M bits DDR SDRAM
EDD5108ADTA-6B-E ELPIDA

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 		512M bits DDR SDRAM
EDD5108ADTA-6BL ELPIDA

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EDD5108ADTA-6BL-E ELPIDA

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 		512M bits DDR SDRAM

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