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EDD2516KCTA-7BS-E

更新时间： 2024-02-18 21:11:50
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尔必达 - ELPIDA 动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
52页 566K
描述
256M bits DDR SDRAM with Super Self-Refresh

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EDD2516KCTA-7BS-E 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSSOP,针数：66
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.24风险等级：5.27
访问模式：FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间：0.75 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码：R-PDSO-G66
长度：22.22 mm内存密度：268435456 bit
内存集成电路类型：DDR DRAM内存宽度：16
功能数量：1端口数量：1
端子数量：66字数：16777216 words
字数代码：16000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：16MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：YES
最大供电电压 (Vsup)：2.7 V最小供电电压 (Vsup)：2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

EDD2516KCTA-7BS-E 数据手册

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PRELIMINARY DATA SHEET  
256M bits DDR SDRAM  
with Super Self-Refresh  
EDD2516KCTA (16M words × 16 bits)  
Specifications  
Pin Configurations  
• Density: 256M bits  
• Organization  
/xxx indicates active low signal.  
66-pin Plastic TSOP(II)  
⎯ 4M words × 16 bits × 4 banks  
• Package: 66-pin plastic TSOP (II)  
⎯ Lead-free (RoHS compliant)  
• Power supply: VDD, VDDQ = 2.5V ± 0.2V  
• Data rate: 333Mbps/266Mbps (max.)  
• Four internal banks for concurrent operation  
• Interface: SSTL_2  
• Burst lengths (BL): 2, 4, 8  
• Burst type (BT):  
⎯ Sequential (2, 4, 8)  
⎯ Interleave (2, 4, 8)  
VDD  
DQ0  
VDDQ  
DQ1  
DQ2  
VSSQ  
DQ3  
DQ4  
VDDQ  
DQ5  
DQ6  
VSSQ  
DQ7  
NC  
VDDQ  
LDQS  
SF  
VDD  
NC  
LDM  
/WE  
/CAS  
/RAS  
/CS  
66  
65  
64  
63  
62  
61  
60  
59  
58  
57  
56  
55  
54  
53  
52  
51  
50  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
VSS  
1
2
3
4
5
6
7
8
DQ15  
VSSQ  
DQ14  
DQ13  
VDDQ  
DQ12  
DQ11  
VSSQ  
DQ10  
DQ9  
VDDQ  
DQ8  
NC  
VSSQ  
UDQS  
NC  
VREF  
VSS  
UDM  
/CK  
CK  
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
• /CAS Latency (CL): 2, 2.5  
• Precharge: auto precharge operation for each burst  
access  
• Driver strength: normal/weak  
CKE  
NC  
A12  
A11  
A9  
• Refresh: auto-refresh, super self-refresh with Auto  
Temperature Compensated Self-refresh (ATCSR)  
function  
NC  
BA0  
BA1  
• Refresh cycles: 8192 cycles/64ms  
⎯ Average refresh period: 7.8μs  
• Operating ambient temperature range  
⎯ TA = 0°C to +70°C  
A10(AP) 28  
A0 29  
A1 30  
A2 31  
A3 32  
VDD 33  
39 A8  
38 A7  
37 A6  
36 A5  
35 A4  
34 VSS  
Features  
(Top view)  
• Double-data-rate architecture; two data transfers per  
clock cycle  
A0 to A12  
BA0, BA1  
Address input  
Bank select address  
DQ0 to DQ15 Data-input/output  
UDQS/LDQS Input and output data strobe  
• The high-speed data transfer is realized by the 2 bits  
prefetch pipelined architecture  
/CS  
Chip select  
• Bi-directional data strobe (DQS) is transmitted  
/received with data for capturing data at the receiver  
/RAS  
/CAS  
/WE  
Row address strobe command  
Column address strobe command  
Write enable  
• DQS is edge-aligned with data for READs; center-  
aligned with data for WRITEs  
UDM/LDM  
CK  
Input mask  
Clock input  
/CK  
Differential clock input  
Clock enable  
• Differential clock inputs (CK and /CK)  
• DLL aligns DQ and DQS transitions with CK  
transitions  
CKE  
VREF  
VDD  
VSS  
VDDQ  
VSSQ  
NC  
Input reference voltage  
Power for internal circuit  
Ground for internal circuit  
Power for DQ circuit  
Ground for DQ circuit  
No connection  
• Commands entered on each positive CK edge; data  
and data mask referenced to both edges of DQS  
• Data mask (DM) for write data  
• SSR Flag function available  
SF  
SSR Flag  
Document No. E0641E20 (Ver.2.0)  
Date Published December 2005 (K) Japan  
Printed in Japan  
This product became EOL in April, 2007.  
URL: http://www.elpida.com  
©Elpida Memory, Inc. 2005  
1234567...52

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