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Datasheet > 暂无类别数据> EDD2516AKTA-7A-E
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EDD2516AKTA-7A-E

更新时间： 2024-09-16 22:40:43
品牌 Logo 应用领域
尔必达 - ELPIDA 存储内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
49页 546K
描述
256M bits DDR SDRAM (16M words x 16 bits)

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EDD2516AKTA-7A-E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSSOP, TSSOP66,.46
针数：66Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.24
风险等级：5.37Is Samacsys：N
访问模式：FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间：0.75 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK)：133 MHz
I/O 类型：COMMON交错的突发长度：2,4,8
JESD-30 代码：R-PDSO-G66JESD-609代码：e6
长度：22.22 mm内存密度：268435456 bit
内存集成电路类型：DDR DRAM内存宽度：16
功能数量：1端口数量：1
端子数量：66字数：16777216 words
字数代码：16000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：16MX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP66,.46封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：2.5 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：8192座面最大高度：1.2 mm
自我刷新：YES连续突发长度：2,4,8
子类别：DRAMs最大供电电压 (Vsup)：2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：2.3 V标称供电电压 (Vsup)：2.5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

EDD2516AKTA-7A-E 数据手册

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DATA SHEET  
256M bits DDR SDRAM  
EDD2516AKTA-E (16M words × 16 bits)  
Description  
Pin Configurations  
The EDD2516AKTA is a 256M bits Double Data Rate  
(DDR) SDRAM organized as 4,194,304 words × 16 bits  
× 4 banks. Read and write operations are performed at  
the cross points of the CK and the /CK. This high-  
speed data transfer is realized by the 2 bits prefetch-  
pipelined architecture. Data strobe (DQS) both for  
read and write are available for high speed and reliable  
data bus design. By setting extended mode register,  
the on-chip Delay Locked Loop (DLL) can be set  
enable or disable. It is packaged in 66-pin plastic  
TSOP (II).  
/xxx indicates active low signal.  
66-pin Plastic TSOP(II)  
VDD  
DQ0  
VDDQ  
DQ1  
DQ2  
VSSQ  
DQ3  
DQ4  
VDDQ  
DQ5  
DQ6  
VSSQ  
DQ7  
NC  
VDDQ  
LDQS  
NC  
VDD  
NC  
LDM  
/WE  
/CAS  
/RAS  
/CS  
VSS  
DQ15  
VSSQ  
DQ14  
DQ13  
VDDQ  
DQ12  
DQ11  
VSSQ  
DQ10  
DQ9  
VDDQ  
DQ8  
NC  
VSSQ  
UDQS  
NC  
VREF  
VSS  
UDM  
/CK  
CK  
CKE  
NC  
A12  
A11  
A9  
A8  
A7  
A6  
1
2
3
4
5
6
7
8
66  
65  
64  
63  
62  
61  
60  
59  
58  
57  
56  
55  
54  
53  
52  
51  
50  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
28  
29  
30  
31  
32  
33  
Features  
• Power supply : VDDQ = 2.5V ± 0.2V  
: VDD = 2.5V ± 0.2V  
• Data rate: 333Mbps/266Mbps (max.)  
• Double Data Rate architecture; two data transfers per  
clock cycle  
• Bi-directional, data strobe (DQS) is transmitted  
/received with data, to be used in capturing data at  
the receiver  
NC  
BA0  
BA1  
• Data inputs, outputs, and DM are synchronized with  
DQS  
• 4 internal banks for concurrent operation  
A10(AP)  
A0  
• DQS is edge aligned with data for READs; center  
A1  
A2  
A3  
VDD  
aligned with data for WRITEs  
A5  
A4  
VSS  
• Differential clock inputs (CK and /CK)  
• DLL aligns DQ and DQS transitions with CK  
transitions  
(Top view)  
• Commands entered on each positive CK edge; data  
and data mask referenced to both edges of DQS  
A0 to A12  
BA0, BA1  
Address input  
Bank select address  
• Data mask (DM) for write data  
• Auto precharge option for each burst access  
• SSTL_2 compatible I/O  
• Programmable burst length (BL): 2, 4, 8  
• Programmable /CAS latency (CL): 2, 2.5  
• Programmable output driver strength: normal/weak  
• Refresh cycles: 8192 refresh cycles/64ms  
7.8µs maximum average periodic refresh interval  
• 2 variations of refresh  
Auto refresh  
Self refresh  
• TSOP (II) package with lead free solder (Sn-Bi)  
RoHS compliant  
DQ0 to DQ15 Data-input/output  
UDQS/LDQS Input and output data strobe  
/CS  
/RAS  
/CAS  
/WE  
UDM/LDM  
CK  
Chip select  
Row address strobe command  
Column address strobe command  
Write enable  
Input mask  
Clock input  
/CK  
CKE  
Differential clock input  
Clock enable  
VREF  
VDD  
VSS  
VDDQ  
VSSQ  
NC  
Input reference voltage  
Power for internal circuit  
Ground for internal circuit  
Power for DQ circuit  
Ground for DQ circuit  
No connection  
Document No. E0502E30 (Ver. 3.0)  
Date Published September 2005 (K) Japan  
Printed in Japan  
URL: http://www.elpida.com  
Elpida Memory, Inc. 2004-2005  
1234567...49

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与EDD2516AKTA-7A-E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
EDD2516AKTA-7B ELPIDA

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 		256M bits DDR SDRAM
EDD2516AKTA-7B-E ELPIDA

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 		256M bits DDR SDRAM (16M words x 16 bits)
EDD2516AKTA-E ELPIDA

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 		256M bits DDR SDRAM (16M words x 16 bits)
EDD2516AKTA-LI ELPIDA

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 		256M bits DDR SDRAM WTR (Wide Temperature Range)
EDD2516AKTA-TI ELPIDA

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 		256M bits DDR SDRAM WTR (Wide Temperature Range)
EDD2516AMTA ELPIDA

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 		256M bits DDR SDRAM
EDD2516AMTA-5 ELPIDA

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 		256M bits DDR SDRAM
EDD2516AMTA-5B ELPIDA

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 		256M bits DDR SDRAM
EDD2516AMTA-5B-E ELPIDA

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 		DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, PLASTIC, TSOP2-66
EDD2516AMTA-5C ELPIDA

获取价格

 		256M bits DDR SDRAM

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