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EDD2516AKTA-5CLI PDF预览

EDD2516AKTA-5CLI

更新时间： 2024-11-09 06:55:55
品牌 Logo 应用领域
尔必达 - ELPIDA 存储内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
48页 489K
描述
256M bits DDR SDRAM WTR (Wide Temperature Range)

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EDD2516AKTA-5CLI 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSSOP,针数：66
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.24风险等级：5.34
访问模式：FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间：0.7 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码：R-PDSO-G66
长度：22.22 mm内存密度：268435456 bit
内存集成电路类型：DDR DRAM内存宽度：16
功能数量：1端口数量：1
端子数量：66字数：16777216 words
字数代码：16000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：16MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：YES
最大供电电压 (Vsup)：2.7 V最小供电电压 (Vsup)：2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：2.6 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

EDD2516AKTA-5CLI 数据手册

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PRELIMINARY DATA SHEET  
256M bits DDR SDRAM  
WTR (Wide Temperature Range)  
EDD2516AKTA-5CLI (16M words × 16 bits, DDR400)  
Description  
Pin Configurations  
The EDD2516AKTA-5 is a 256M bits DDR SDRAM  
organized as 4,194,304 words × 16 bits × 4 banks.  
Read and write operations are performed at the cross  
points of the CK and the /CK. This high-speed data  
transfer is realized by the 2 bits prefetch-pipelined  
architecture. Data strobe (DQS) both for read and  
write are available for high speed and reliable data bus  
design. By setting extended mode register, the on-chip  
Delay Locked Loop (DLL) can be set enable or disable.  
/xxx indicates active low signal.  
66-pin Plastic TSOP(II)  
VDD  
DQ0  
VDDQ  
DQ1  
DQ2  
VSSQ  
DQ3  
DQ4  
VDDQ  
DQ5  
DQ6  
VSSQ  
DQ7  
NC  
VDDQ  
LDQS  
NC  
VDD  
NC  
LDM  
/WE  
/CAS  
/RAS  
/CS  
66  
65  
64  
63  
62  
61  
60  
59  
58  
57  
56  
55  
54  
53  
52  
51  
50  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
VSS  
1
2
3
4
5
6
7
8
DQ15  
VSSQ  
DQ14  
DQ13  
VDDQ  
DQ12  
DQ11  
VSSQ  
DQ10  
DQ9  
VDDQ  
DQ8  
NC  
VSSQ  
UDQS  
NC  
VREF  
VSS  
UDM  
/CK  
CK  
9
It is packaged in standard 66-pin plastic TSOP (II).  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
Features  
• Power supply: VDDQ = 2.6V ± 0.1V  
: VDD = 2.6V ± 0.1V  
• Data rate: 400Mbps (max.)  
• Double Data Rate architecture; two data transfers  
per clock cycle  
• Bi-directional, data strobe (DQS) is transmitted  
/received with data, to be used in capturing data at  
the receiver  
CKE  
NC  
A12  
A11  
A9  
• Data inputs, outputs, and DM are synchronized with  
DQS  
NC  
BA0  
BA1  
• 4 internal banks for concurrent operation  
• DQS is edge aligned with data for READs; center  
aligned with data for WRITEs  
A10(AP) 28  
A0 29  
39 A8  
38 A7  
37 A6  
36 A5  
35 A4  
34 VSS  
A1 30  
A2 31  
A3 32  
VDD 33  
• Differential clock inputs (CK and /CK)  
• DLL aligns DQ and DQS transitions with CK  
transitions  
(Top view)  
• Commands entered on each positive CK edge; data  
and data mask referenced to both edges of DQS  
A0 to A12  
BA0, BA1  
Address input  
Bank select address  
• Data mask (DM) for write data  
• Auto precharge option for each burst access  
• SSTL_2 compatible I/O  
DQ0 to DQ15 Data-input/output  
UDQS, LDQS Input and output data strobe  
/CS  
Chip select  
• Programmable burst length (BL): 2, 4, 8  
• Programmable /CAS latency (CL): 3  
• Programmable output driver strength: normal/weak  
• Refresh cycles: 8192 refresh cycles/64ms  
⎯ 7.8μs maximum average periodic refresh interval  
• 2 variations of refresh  
⎯ Auto refresh  
⎯ Self refresh  
• Ambient temperature range: −40 to +85°C  
/RAS  
/CAS  
/WE  
UDM, LDM  
CK  
Row address strobe command  
Column address strobe command  
Write enable  
Input mask  
Clock input  
/CK  
CKE  
Differential clock input  
Clock enable  
VREF  
VDD  
VSS  
VDDQ  
VSSQ  
NC  
Input reference voltage  
Power for internal circuit  
Ground for internal circuit  
Power for DQ circuit  
Ground for DQ circuit  
No connection  
Document No. E0488E10 (Ver. 1.0)  
Date Published February 2004 (K) Japan  
URL: http://www.elpida.com  
This product became EOL in April, 2007.  
©Elpida Memory, Inc. 2004  
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与EDD2516AKTA-5CLI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
EDD2516AKTA-5-E ELPIDA

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 		256M bits DDR SDRAM (16M words x16 bits, DDR400)
EDD2516AKTA-6B ELPIDA

获取价格

 		256M bits DDR SDRAM
EDD2516AKTA-6B-E ELPIDA

获取价格

 		256M bits DDR SDRAM (16M words x 16 bits)
EDD2516AKTA-6BLI ELPIDA

获取价格

 		256M bits DDR SDRAM WTR (Wide Temperature Range)
EDD2516AKTA-6BLI-E ELPIDA

获取价格

 		DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, PLASTIC, TSOP2-66
EDD2516AKTA-6BTI ELPIDA

获取价格

 		256M bits DDR SDRAM WTR (Wide Temperature Range)
EDD2516AKTA-6BTI-E ELPIDA

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 		DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, PLASTIC, TSOP2-66
EDD2516AKTA-7A ELPIDA

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 		256M bits DDR SDRAM
EDD2516AKTA-7A-E ELPIDA

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 		256M bits DDR SDRAM (16M words x 16 bits)
EDD2516AKTA-7B ELPIDA

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 		256M bits DDR SDRAM

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