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EDD20323ABH-6ELS-F

更新时间： 2024-11-07 21:09:59

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尔必达 - ELPIDA		动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
59页	765K
描述
DDR DRAM, 64MX32, 5ns, CMOS, PBGA90, ROHS COMPLIANT, FBGA-90

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EDD20323ABH-6ELS-F 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	BGA,	针数：	90
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.36	风险等级：	5.84
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PBGA-B90
JESD-609代码：	e1	内存密度：	2147483648 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	32
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	90	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	64MX32	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	认证状态：	Not Qualified
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	BALL	端子位置：	BOTTOM
Base Number Matches：	1

EDD20323ABH-6ELS-F 数据手册

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PRELIMINARY DATA SHEET

2G bits DDR SDRAM

WTR (Wide Temperature Range), Low Power Function

EDD20323ABH-LS (64M words × 32 bits)

Specifications

Features

• Density: 2G bits

• Organization: 16M words × 32 bits × 4 banks

• DLL is not implemented

• Low power consumption

• Package: 90-ball FBGA

• Partial Array Self-Refresh (PASR)

Lead-free (RoHS compliant) and Halogen-free

• Power supply: VDD, VDDQ = 1.7V to 1.95V

• Data rate: 400Mbps/333Mbps (max.)

• 4KB page size

Row address: A0 to A13

Column address: A0 to A9

• Four internal banks for concurrent operation

• Interface: LVCMOS

• Burst lengths (BL): 2, 4, 8, 16

• Burst type (BT):

• Auto Temperature Compensated Self-Refresh

(ATCSR) by built-in temperature sensor

• Deep power-down mode

• Double-data-rate architecture; two data transfers per

one clock cycle

• The high-speed data transfer is realized by the 2 bits

prefetch pipelined architecture

• Bi-directional data strobe (DQS) is transmitted

/received with data for capturing data at the receiver.

• Data inputs, outputs, and DM are synchronized with

DQS

• DQS is edge-aligned with data for READs; center-

Sequential (2, 4, 8, 16)

Interleave (2, 4, 8, 16)

• /CAS Latency (CL): 3

aligned with data for WRITEs

• Differential clock inputs (CK and /CK)

• Commands entered on each positive CK edge: data

• Precharge: auto precharge option for each burst

and data mask referenced to both edges of DQS

access

• Data mask (DM) for write data

• Driver strength: normal, 3/4, 1/2, 1/4, 1/8

• Refresh: auto-refresh, self-refresh

• Refresh cycles: 8192 cycles/64ms

Average refresh period: 7.8µs

• Operating ambient temperature range

TA = −25°C to +85°C

• Burst termination by burst stop command and

precharge command

• Wide temperature range

TA = −25°C to +85°C

Document No. E1437E20 (Ver. 2.0)

Date Published January 2009 (K) Japan

Printed in Japan

URL: http://www.elpida.com

Elpida Memory, Inc. 2008-2009

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EDD2504AJTA-6B	ELPIDA	获取价格	256M bits DDR SDRAM
EDD2504AJTA-6B-E	ELPIDA	获取价格	DDR DRAM, 64MX4, 0.7ns, CMOS, PDSO66, PLASTIC, TSOP2-66
EDD2504AJTA-7A	ELPIDA	获取价格	256M bits DDR SDRAM
EDD2504AJTA-7A-E	ELPIDA	获取价格	DDR DRAM, 64MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66, PLASTIC, TSOP2-66
EDD2504AJTA-7B	ELPIDA	获取价格	256M bits DDR SDRAM
EDD2504AJTA-7B-E	ELPIDA	获取价格	DDR DRAM, 64MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66, PLASTIC, TSOP2-66
EDD2504AKTA	ELPIDA	获取价格	256M bits DDR SDRAM (64M words x 4 bits)
EDD2504AKTA-6B	ELPIDA	获取价格	256M bits DDR SDRAM (64M words x 4 bits)
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