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EDD1232AAFA-6B-E

更新时间： 2024-09-16 22:05:11

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尔必达 - ELPIDA		动态存储器双倍数据速率
页数	文件大小	规格书
50页	583K
描述
128M bits DDR SDRAM (4M words x 32 bits)

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EDD1232AAFA-6B-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFP	包装说明：	LQFP, QFP100,.63X.87
针数：	100	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.31	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.7 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
JESD-609代码：	e6	长度：	20 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	100
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX32
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LQFP	封装等效代码：	QFP100,.63X.87
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.7 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	2,4,8	最大待机电流：	0.02 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.38 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

EDD1232AAFA-6B-E 数据手册

DATA SHEET

128M bits DDR SDRAM

EDD1232AAFA (4M words × 32 bits)

Description

Features

The EDD1232AAFA is a 128M bits DDR SDRAM

organized as 1,048,576 words × 32 bits × 4 banks.

Read and write operations are performed at the cross

points of the CK and the /CK. This high-speed data

transfer is realized by the 2 bits prefetch-pipelined

architecture. Data strobe (DQS) both for read and

write are available for high speed and reliable data bus

design. By setting extended mode register, the on-chip

Delay Locked Loop (DLL) can be set enable or disable.

• Power supply: VDDQ = 2.5V ± 0.2V

: VDD = 2.5V ± 0.2V

• Data rate: 333Mbps/266Mbps (max.)

• Double Data Rate architecture; two data transfers per

clock cycle

• Bi-directional, data strobe (DQS) is transmitted

/received with data, to be used in capturing data at

the receiver

• Data inputs, outputs, and DM are synchronized with

It is packaged in 100-pin plastic LQFP package.

DQS

• 4 internal banks for concurrent operation

• DQS is edge aligned with data for READs; center

aligned with data for WRITEs

• Differential clock inputs (CK and /CK)

• DLL aligns DQ and DQS transitions with CK

transitions

• Commands entered on each positive CK edge; data

and data mask referenced to both edges of DQS

• Data mask (DM) for write data

• Auto precharge option for each burst access

• SSTL_2 compatible I/O

• Programmable burst length (BL): 2, 4, 8

• Programmable /CAS latency (CL): 2, 2.5, 3

• Programmable output driver strength: half/weak

• Refresh cycles: 4096 refresh cycles/32ms

7.8µs maximum average periodic refresh interval

• 2 variations of refresh

Auto refresh

Self refresh

• LQFP package with lead free solder (Sn-Bi)

RoHS compliant

Document No. E0432E50 (Ver.5.0)

Date Published June 2005 (K) Japan

Printed in Japan

URL: http://www.elpida.com

Elpida Memory, Inc. 2003-2005

12 3 4 5 6 7...50

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EDD1232AAFA-6B-E 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
EDD1232AAFA-7A-E	ELPIDA	功能相似	128M bits DDR SDRAM (4M words x 32 bits)

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EDD1232AAFA-7A-E	ELPIDA	获取价格	128M bits DDR SDRAM (4M words x 32 bits)
EDD1232AAFA-7B-E	ELPIDA	获取价格	DDR DRAM, 4MX32, 0.75ns, CMOS, PQFP100, LEAD FREE, PLASTIC, LQFP-100
EDD1232ABBH	ELPIDA	获取价格	128M bits DDR SDRAM
EDD1232ABBH-5C-E	ELPIDA	获取价格	128M bits DDR SDRAM
EDD1232ACBH	ELPIDA	获取价格	128M bits DDR SDRAM
EDD1232ACBH-5B-F	ELPIDA	获取价格	128M bits DDR SDRAM
EDD1232ACBH-6B	ELPIDA	获取价格	128M bits DDR SDRAM
EDD1232ACBH-6B-F	ELPIDA	获取价格	128M bits DDR SDRAM
EDD20323ABH-6ELS-F	ELPIDA	获取价格	DDR DRAM, 64MX32, 5ns, CMOS, PBGA90, ROHS COMPLIANT, FBGA-90
EDD2504AJTA	ELPIDA	获取价格	256M bits DDR SDRAM

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