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EDD1216AJTA-5B-E

更新时间： 2024-09-25 03:33:27

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尔必达 - ELPIDA		动态存储器双倍数据速率
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128M bits DDR SDRAM

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EDD1216AJTA-5B-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSSOP, TSSOP66,.46
针数：	66	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.79	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.7 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	200 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G66
长度：	22.22 mm	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	66	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	8MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP66,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	2,4,8
最大待机电流：	0.003 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.35 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

EDD1216AJTA-5B-E 数据手册

DATA SHEET

128M bits DDR SDRAM

EDD1216AJTA (8M words × 16 bits)

Specifications

Features

• Density: 128M bits

• Organization

• Double-data-rate architecture; two data transfers per

clock cycle

• The high-speed data transfer is realized by the 2 bits

2M words × 16 bits × 4 banks

• Package: 66-pin plastic TSOP (II)

Lead-free (RoHS compliant)

• Power supply: VDD, VDDQ = 2.5V ± 0.2V

• Data rate: 400Mbps/333Mbps/266Mbps (max.)

• Four internal banks for concurrent operation

• Interface: SSTL_2

prefetch pipelined architecture

• Bi-directional data strobe (DQS) is transmitted

/received with data for capturing data at the receiver

• Data inputs, outputs, and DM are synchronized with

DQS

• DQS is edge-aligned with data for READs; center-

aligned with data for WRITEs

• Differential clock inputs (CK and /CK)

• Burst lengths (BL): 2, 4, 8

• Burst type (BT):

Sequential (2, 4, 8)

Interleave (2, 4, 8)

• /CAS Latency (CL): 2, 2.5, 3

• DLL aligns DQ and DQS transitions with CK

transitions

• Commands entered on each positive CK edge; data

and data mask referenced to both edges of DQS

• Data mask (DM) for write data

• Precharge: auto precharge option for each burst

access

• Driver strength: normal/weak

• Refresh: auto-refresh, self-refresh

• Refresh cycles: 4096 cycles/64ms

Average refresh period: 15.6µs

• Operating ambient temperature range

TA = 0°C to +70°C

Document No. E0972E30 (Ver. 3.0)

Date Published July 2007 (K) Japan

Printed in Japan

URL: http://www.elpida.com

Elpida Memory, Inc. 2006-2007

12 3 4 5 6 7...52

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