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EDB105S

更新时间： 2024-11-08 22:30:39
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 31K
描述
GLASS PASSIVATED SUPER FAST SILICON SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIER (VOLTAGE RANGE 50 to 400 Volts CURRENT 1.0 Ampere)

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EDB105S 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PDSO-G4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.71最小击穿电压：300 V
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.2 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：30 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：265
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：300 V
最大反向恢复时间：0.035 µs子类别：Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

EDB105S 数据手册

 浏览型号EDB105S的Datasheet PDF文件第2页 
EDB101S  
THRU  
RECTRON  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL SPECIFICATION  
EDB106S  
GLASS PASSIVATED SUPER FAST  
SILICON SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIER  
VOLTAGE RANGE 50 to 400 Volts CURRENT 1.0 Ampere  
FEATURES  
* Surge overloading rating - 50 amperes peak  
* Ideal for printed circuit board  
* Reliable low cost construction utilizing molded  
* Glass passivated device  
* Polarity symbols molded on body  
* Mounting position: Any  
DB-S  
* Weight: 1.0 gram  
(
)
)
.310 7.9  
MECHANICAL DATA  
(
.290 7.4  
(
)
)
.255 6.5  
*
Epoxy : Device has UL flammability classification 94V-0  
(
.245 6.2  
.009  
(
)
)
)
.013 .330  
(
)
9.4  
(
.003 .076  
(
)
)
.042 1.1  
(
.410 10.4  
(
.038 1.0  
(
)
.360 9.4  
(
)
)
.060 1.524  
(
.040 1.016  
(8.51)  
(8.13)  
.335  
.320  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
(
)
)
.135 3.4  
(
.115 2.9  
(
)
)
.205 5.2  
(
.195 5.0  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS (At T  
A
= 25oC unless otherwise noted)  
RATINGS  
SYMBOL  
EDB101S EDB102S EDB103S EDB104S EDB105S EDB106S UNITS  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Volts  
V
V
RRM  
RMS  
50  
35  
50  
100  
70  
150  
105  
150  
200  
140  
200  
300  
210  
300  
400  
280  
400  
Volts  
Volts  
Volts  
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward Current  
V
DC  
O
100  
I
1.0  
30  
Amps  
Amps  
at TA  
= 55oC  
Peak Forward Surge Current IFM (surge): 8.3 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load (JEDEC method)  
I
FSM  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
C
J
15  
10  
pF  
0 C  
Operating and Storage Temperature Range  
T
J
, TSTG  
-65 to + 150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (At T  
CHARACTERISTICS  
Maximum Forward Voltage at 1.0A DC  
A
= 25oC unless otherwise noted)  
SYMBOL  
EDB101S EDB102S EDB103S EDB104S EDB105S EDB106S UNITS  
V
F
1.0  
1.25  
Volts  
Maximum DC Reverse Current  
@T  
@T  
A
A
= 25oC  
=150oC  
5.0  
50  
50  
I
R
uAmps  
at Rated DC Blocking Voltage  
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)  
trr  
nSec  
NOTES : 1. Test Conditions: I  
F
=0.5A, I  
R=-1.0A, IRR=-0.25A.  
2001-4  
2. Measured at 1 MH  
Z
and applied reverse voltage of 4.0 volts.  
12

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