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EC3A03B PDF预览

EC3A03B

更新时间： 2024-11-26 12:50:15
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO 晶体转换器传感器红外传感器晶体管开关
页数 文件大小 规格书
3页 44K
描述
Impedance Converter, Infrared Sensor Applications

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EC3A03B 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：SON
包装说明：CHIP CARRIER, R-XBCC-N3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.37
Is Samacsys：N外壳连接：GATE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (ID)：0.001 AFET 技术：JUNCTION
JESD-30 代码：R-XBCC-N3元件数量：1
端子数量：3工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

EC3A03B 数据手册

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Ordering number : ENN7295A  
N-Channel Silicon Junction FET  
EC3A03B  
Impedance Converter,  
Infrared Sensor Applications  
Preliminary  
Features  
Package Dimensions  
unit : mm  
2208  
•
Small I  
.
GSS  
•
•
Small Ciss.  
Ultraminiature package facilitates miniaturization in  
end products.  
[EC3A03B]  
0.35  
0.2  
0.15  
0.15  
0.05  
2
1
3
0.05  
0.5  
(Bottom View)  
1 : Source  
2 : Drain  
3 : Gate  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C  
0.6  
SANYO : ECSP1006-3  
Parameter  
Drain-to-Source Voltage  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
40  
--40  
10  
V
V
DSS  
Gate-to-Drain Voltage  
Gate Current  
V
GDS  
I
mA  
mA  
mW  
°C  
G
Drain Current  
I
1
D
Allowable Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
P
100  
150  
D
Tj  
Tstg  
--55 to +150  
°C  
Electrical Characteristics at Ta=25°C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
=--10µA, V =0  
Unit  
min  
--40  
max  
Gate-to-Drain Breakdown Voltage  
Gate-to-Source Leakage Current  
Cutoff Voltage  
V
I
V
pA  
V
(BR)GDS  
G
DS  
I
V
V
V
V
V
V
=--20V, V =0  
DS  
--500  
--4.0  
130  
GSS  
(off)  
GS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
V
=10V, I =1µA  
--1.5  
GS  
D
Zero-Gate Voltage Drain Current  
Forward Transfer Admittance  
Input Capacitance  
I
=10V, V =0  
GS  
50  
µA  
mS  
pF  
pF  
DSS  
yfs  
=10V, V =0, f=1kHz  
GS  
0.05  
0.13  
1.7  
Ciss  
Crss  
=10V, V =0, f=1MHz  
GS  
Reverse Transfer Capacitance  
Marking : JV  
=10V, V =0, f=1MHz  
GS  
0.7  
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle  
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's  
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious  
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using  
any SANYO products described or contained herein in such applications.  
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that  
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other  
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained  
herein.  
SANYO Electric Co.,Ltd. Sem iconductor Com pany  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
22503 TS IM TA-100367 / O3002 TS IM TA-100288 No.7295-1/3  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
EC3A03B-TL-H ONSEMI

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 		N-Channel JFET for Impedance Converters and Infrared Sensor Applications, 8000-REEL
EC3A03H ETC

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 		3 WATT 2 1 INPUT RANGE DC-DC CONVERTERS
EC3A03H-E CINCON

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