EC30HA04

更新时间： 2024-11-20 21:54:55

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NIEC		整流二极管肖特基二极管光电二极管
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描述
Schottky Barrier Diode

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EC30HA04 数据手册

SBD Type：EC30HA04

■OUTLINE DRAWING

構造

：表面実装型、ショットキバリアダイオード(ＳＢＤ)

Construction: Surface Mounting, Schottky Barrier Diode

用途

：高周波整流用

Application : High Frequency Rectification

■最大定格 / Maximum Ratings

Approx Net Weight:0.06g

Symbol

V_RRM

EC30HA04

Unit

Rating

くり返しピーク逆電圧

Repetitive Peak Reverse Voltage

くり返しピークサージ逆電圧

Repetitive peak surge reverse voltage

パルス幅1us以下、デューティー1/50以下

Pulse width ≦1us、Duty ≦ 1/50

V_RRSM

1.69 Ta=25℃ *1 50Hz、正弦半波通電

平均整流電流

Average Rectified Output Current

Half Sine Wave

Tl=96℃

I_O

抵抗負荷

Resistive Load

3.0

(Tl:Lead

Temperature)

実効順電流

RMS Forward Current

サージ順電流

I_F(RMS)

I_FSM

4.71

50 Hz 正弦半波, 1サイクル, 非くり返し

Half Sine Wave,1cycle,Non-repetitive

Surge Forward Current

動作接合温度範囲

Tjw

- 40 ～ + 150

℃

Operating JunctionTemperature Range

保存温度範囲

Tstg

Storage Temperature Range

■電気的・熱的特性 / Electrical ･ Thermal Characteristics

Characteristics

ピーク逆電流

Symbol

I_RM

Conditions

Tj=25℃, V_RM= V_RRM

Tj=25℃, I_FM= 3 A

Min. Typ. Max. Unit

500

μA

Peak Reverse Current

ピーク順電圧

V_FM

0.59

Peak Forward Voltage

接合部・周囲間

熱抵抗

Thermal

Rth(j-a) Alumina Substrate Mounted *1

Rth(j-l)

108 ℃/W

23 ℃/W

Junction to Ambient

接合部・リード間

Junction to Lead

Resistance

*1:アルミナ基板実装/Alumina Substrate mounted (Soidering Lands= 2 × 2 mm , Both Sides)

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