Datasheet > EC103E2

EC103E2

更新时间： 2024-11-26 19:38:23

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅栅极
页数	文件大小	规格书
10页	311K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 800mA I(T), 500V V(DRM), 500V V(RRM), 1 Element, TO-92, TO-92, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

EC103E2 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.06	其他特性：	SENSITIVE GATE
配置：	SINGLE	关态电压最小值的临界上升速率：	25 V/us
最大直流栅极触发电流：	0.05 mA	最大直流栅极触发电压：	0.8 V
最大维持电流：	5 mA	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e3
最大漏电流：	0.05 mA	湿度敏感等级：	2
通态非重复峰值电流：	20 A	元件数量：	1
端子数量：	3	最大通态电流：	800 A
最高工作温度：	110 °C	最低工作温度：	-60 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	0.8 A
断态重复峰值电压：	500 V	重复峰值反向电压：	500 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

EC103E2 数据手册

Teccor^®brandThyristors

0.8 Amp Sensitive SCRs

EC103xx & SxSx Series

Description

Excellent unidirectional switches for phase control

applications such as heating and motor speed controls.

Sensitive gate SCRs are easily triggered with microAmps

of current as furnished by sense coils, proximity switches,

and microprocessors.

Features & Beneﬁts

tꢀ

3P)4ꢀDPNQMJBOU

tꢀ

7PMUBHFꢀDBQBCJMJUZꢀVQꢀ

UPꢀꢁꢂꢂꢀ7

(MBTTꢀoꢀQBTTJWBUFEꢀ

junctions

tꢀ

20 A

4VSHFꢀDBQBCJMJUZꢀVQꢀUPꢀ

Main Features

Applications

Typical applications are capacitive discharge systems

for strobe lights and gas engine ignition. Also controls

for power tools, home/brown goods and white goods

appliances.

Symbol

I_T(RMS)

Value

0.8

Unit

7_DRMꢃ7_RRM

I₍₅

400 to 600

12 to 500

μA

Schematic Symbol

Absolute Maximum Ratings — Sensitive SCRs

Symbol

I_T(RMS)

I_5ꢄ"7ꢅ

Parameter

Test Conditions

Value

Unit

RMS on-state current

T_C= 75°C

0.8

Average on-state current

T_C= 75°C

0.51

TJOHMFꢀIBMGꢀDZDMFꢆꢀGꢀꢇꢀꢈꢂ)[ꢆ

T (initial) = 25°C

I_TSM

Peak non-repetitive surge current

TJOHMFꢀIBMGꢀDZDMFꢆꢀGꢀꢇꢀꢁꢂ)[ꢆ

T (initial) = 25°C

I²t

I²Uꢀ7BMVFꢀGPSꢀGVTJOH

Critical rate of rise of on-state current

Peak gate current

t_p= 8.3 ms

1.6

A²s

A/μs

di/dt

I_(.

Gꢀꢇꢀꢁꢂꢀ)[ꢀꢆꢀ5 = 110°C

T = 110°C

P_(ꢄ"7ꢅ

T_stg

Average gate power dissipation

Storage temperature range

0.1

T = 110°C

-40 to 150

-40 to 110

°C

Operating junction temperature range

°C

EC103xx & SxSx Series

163

Revised: March 31, 2010 03:44 PM

Speciﬁcations are subject to change without notice.

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与EC103E2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
EC103E3	LITTELFUSE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 800mA I(T), 500V V(DRM), 500V V(RRM), 1 Elemen
EC103M	TECCOR	获取价格	Sensitive SCRs
EC103M	LITTELFUSE	获取价格	Sensitive SCRs (0.8 A to 10 A)
EC103M1	LITTELFUSE	获取价格	Sensitive SCRs (0.8 A to 10 A)
EC103M1	TECCOR	获取价格	Sensitive SCRs
EC103M175	LITTELFUSE	获取价格	Teccor brand Thyristors 0.8 Amp Sensitive SCRs
EC103M175AP	LITTELFUSE	获取价格	暂无描述
EC103M175RP	LITTELFUSE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-92, RO
EC103M1AP	LITTELFUSE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-92, RO
EC103M1RP	LITTELFUSE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-92, RO

与EC103E2相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

45
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

34
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

62
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

59

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

EC103E2

EC103E2 技术参数

EC103E2 数据手册

与EC103E2相关器件

与EC103E2相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

EC103E2

EC103E2 技术参数

EC103E2 数据手册

与EC103E2相关器件

与EC103E2相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？